[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其形成方法，包括衬底、多条字线结构、多条位线结构、多个节点接触结构及介质层，介质层位于所述有源区的字线结构，且至少覆盖所述字线结构靠近所述节点接触结构的至少部分侧壁，所以在位线结构和节点接触结构之间具有介质层的隔离，降低了位线结构伸入有源区的部分和节点接触结构之间短路的风险，改善了存储器的性能，即使位线沟槽发生位置偏移，位线结构和节点接触结构也可以通过介质层增加隔离的效果，增加光刻工艺的制程窗口；并且介质层是在字线沟槽中形成的且形成在字线结构之前，由于形成字线结构时需要先形成最外层介质，所以介质层和字线结构的最外层介质可在同一机台中先后形成，工艺制程简单且成本低。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。所述存储器还具有多条位线结构，每一位线结构分别与相应的存储单元电性连接，并且所述存储器还包括存储电容器，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储单元可通过一节点接触结构电性连接所述存储电容器，从而实现各个存储单元的存储功能。

图1a为现有的一种存储器的简化版图，图1b为图1a中的存储器沿a-a’方向的剖面示意图。结合图1a和图1b所示，现有存储器的字线结构WL’形成在有源区AA’内，在有源区AA’上通常会形成多条位线结构BL’，并利用所述位线结构BL’界定出节点接触窗d1，进而可以填充导电材料在所述节点接触窗d1中，以形成节点接触结构SC’。在形成位线结构BL’时，一般是利用光刻工艺直接定义出位线沟槽d2。即，利用光刻工艺直接界定出需要形成的位线结构BL’的尺寸和位置。然而，在利用上述方法形成位线结构时，由于在光刻工艺中存在对准精度的问题，从而不可避免的会产生位置偏移或者CD变化的问题，使所定义出的位线沟槽d2的位置产生偏差(如图1b所示，位线沟槽d2的中心线与相邻的字线结构WL’的对称轴之间产生了向左的位置偏差)，导致在位线沟槽d2中形成位线结构BL’以及在节点接触窗d1中形成节点接触结构SC’之后，位线结构BL’伸入所述有源区AA’中的部分与其相邻的节点接触结构SC’之间短路的风险增大，这将对存储器的性能产生不利的影响。并且，随着器件尺寸的微缩，相邻的字线结构WL’之间的横向尺寸进一步缩短，为了增大位线结构BL’，通常会将位线结构BL’横向延伸至字线结构WL’的栅导电层上方，当位线沟槽d2产生偏差时，位线结构BL’伸入所述所述有源区AA’中的部分产生位置偏移并且可能会导致有源区AA’由于刻蚀不完全导致的有源区残留gg’，从而导致位线结构BL’与附近的节点接触结构SC’之间短路的风险将进一步增大，从而导致对光刻工艺的制程窗口的限制非常大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器及其形成方法，以增加光刻工艺的制程窗口，改善所形成的存储器的性能。

为了达到上述目的，本发明提供了一种存储器，包括：

一衬底，所述衬底中形成有多个呈阵列式排布且沿第一预定方向延伸的有源区；

多条字线结构，位于所述衬底中，且沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区；

多条位线结构，位于所述衬底上，且沿着第三预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述位线结构至少部分延伸至所述有源区中，且所述有源区中的所述位线结构排布在相邻的所述字线结构之间，相邻的位线结构界定出位于所述有源区上的节点接触窗；

多个节点接触结构，填充在所述节点接触窗中并和对应的所述有源区电性连接；以及

介质层，位于所述有源区的字线结构，且至少覆盖所述字线结构靠近所述节点接触结构的至少部分侧壁。