[发明专利]非易失性存储器及其工作方法

说明书

一种非易失性存储器及其工作方法，所述非易失性存储器通过采用一个阻变式随机存储单元，即可以实现数据的非易失性存储，与采用两个阻变式随机存储单元的非易失性存储器相比，可以有效降低非易失性存储器的功耗，并可以提高非易失性存储器的集成度。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种非易失性存储器及其工作方法。

背景技术

静态随机存储器采用静态存储方式，以双稳态锁存单元作为存储单元，具有读写速度快、功耗低的优点。同时，无需配合内存刷新电路可以提高电路工作的速度和效率。

但是，静态随机存储器存在着在掉电后数据无法保存的问题。为解决该问题，现有技术中将静态随机存储器与非易失性存储器进行结合，采用非易失性存储器对静态随机存储器内所存储的数据进行保存，以确保掉电后数据不丢失。

但是，现有的非易失性存储器存着着功耗较高的问题。

发明内容

本发明解决的问题是如何降低非易失性存储器的功耗。

本发明提供了一种非易失性存储器，所述非易失性存储器包括：

第一位线；

第二位线；

控制单元，所述控制单元具有第一控制连接端和第二控制连接端，第一控制连接端与所述第二位线连接；

锁存单元，所述锁存单元具有第一锁存节点和第二锁存节点，所述第一位线用于调节第一锁存节点的电位信号，所述第二位线用于调节第二锁存节点的电位信号；

所述锁存单元包括阻变式随机存储单元和一个上拉晶体管，所述阻变式随机存储单元具有相对的第一连接端和第二连接端，第一连接端和上拉晶体管的栅极与第一锁存节点连接，所述第二连接端和上拉晶体管的第一源漏端连接并与所述第二控制连接端连接，上拉晶体管的第二源漏端与所述第二锁存节点连接；

所述控制单元用于根据所述第二位线的电位信号调节第二连接端的电位进而改变阻变式随机存储单元的阻值状态。

可选地，所述上拉晶体管为P型MOS晶体管。

可选地，所述非易失性存储器还包括：

第一传输晶体管，所述第一传输晶体管的第一源漏端与所述第一位线连接，第一传输晶体管的第二源漏端与第一锁存节点连接；

第二传输晶体管，所述第二传输晶体管的第一源漏端与所述第二位线连接，第二传输晶体管的第二源漏端与第二锁存节点连接。

可选地，所述非易失性存储器还包括：

字线，所述字线分别与所述第一传输晶体管的栅极和第二传输晶体管的栅极连接。

可选地，所述锁存单元还包括第一下拉晶体管和第二下拉晶体管；

所述第一下拉晶体管的栅极与所述第二锁存节点连接，所述第一下拉晶体管的第一源漏端接地线，所述第一下拉晶体管的第二源漏端与第一锁存节点连接；

所述第二下拉晶体管的栅极与所述第一锁存节点连接，所述第二下拉晶体管的第一源漏端接地线，所述第二下拉晶体管的第二源漏端与所述第二锁存节点连接。

可选地，第一下拉晶体管和第二下拉晶体管为N型MOS晶体管。

可选地，所述非易失性存储器还包括：电源线；第二连接端和上拉晶体管的第一源漏端与所述电源线连接。

可选地，所述控制单元包括N型MOS晶体管；

所述控制单元的栅极与所述控制信号耦接；