[发明专利]非易失性存储器设备及其操作方法以及存储系统

权利要求书

1.一种非易失性存储器设备的操作方法，其中所述非易失性存储器设备包括单元串，其中所述单元串包括串联在位线与共源极线之间并堆叠在垂直于基板的方向上的多个单元晶体管，所述方法包括：

对所述多个单元晶体管中的擦除控制晶体管进行编程；以及

在所述擦除控制晶体管被编程之后，将擦除电压施加到所述共源极线或所述位线，并且将擦除控制电压施加到连接到所述擦除控制晶体管的擦除控制线，

其中，所述擦除控制电压小于所述擦除电压且大于接地电压，并且

其中，所述擦除控制晶体管在所述多个单元晶体管中的接地选择晶体管与所述共源极线之间，或者在所述多个单元晶体管中的串选择晶体管与所述位线之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述擦除控制晶体管进行编程包括：

将所述接地电压施加到所述位线和所述共源极线，并且将编程电压施加到所述擦除控制线。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述擦除控制晶体管被编程以增大所述擦除控制晶体管的阈值电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述擦除控制晶体管的增大后的阈值电压使得来自所述擦除控制晶体管的栅极诱导漏极泄漏(GIDL)电流增大。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

当所述擦除控制晶体管在所述接地选择晶体管与所述共源极线之间时，在所述擦除控制晶体管被编程之后，将所述擦除电压施加到所述共源极线并对所述位线进行浮置。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

当所述擦除控制晶体管在所述串选择晶体管与所述位线之间时，在所述擦除控制晶体管被编程之后，将所述擦除电压施加到所述位线并对所述共源极线进行浮置。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述擦除控制晶体管被编程之后，对连接到所述接地选择晶体管的接地选择线和连接到所述串选择晶体管的串选择线进行浮置。

8.一种非易失性存储器设备，包括：

存储器单元阵列，包括单元串，其中所述单元串包括串联在位线与共源极线之间并堆叠在垂直于基板的方向上的多个单元晶体管；

行解码器，被配置为控制所述共源极线和连接到所述多个单元晶体管中的擦除控制晶体管的擦除控制线；

输入/输出电路，被配置为控制所述位线；以及

控制逻辑电路，

其中，在与所述单元串相关联的擦除操作中，所述控制逻辑电路控制所述行解码器和所述输入/输出电路，使得所述擦除控制晶体管被编程，然后控制所述行解码器和所述输入/输出电路，使得擦除电压被施加到所述共源极线或所述位线并且擦除控制电压被施加到所述擦除控制线，

其中，所述擦除控制电压小于所述擦除电压且大于接地电压，并且

其中，所述擦除控制晶体管在所述多个单元晶体管中的接地选择晶体管与所述共源极线之间，或者在所述多个单元晶体管中的串选择晶体管与所述位线之间。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器设备，其中，在与所述擦除控制晶体管相关联的编程操作中，所述行解码器将所述接地电压施加到所述共源极线并将编程电压施加到所述擦除控制线，并且所述输入/输出电路将所述接地电压施加到所述位线。

10.根据权利要求8所述的非易失性存储器设备，其中，所述擦除控制晶体管被编程，使得所述擦除控制晶体管的阈值电压增大为至少参考电压。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器设备，其中，所述参考电压是允许来自所述擦除控制晶体管的栅极诱导漏极泄漏(GIDL)电流增大的电压。