[发明专利]光调制器、光束转向设备和电子设备

权利要求书

1.一种用于放大入射光的强度并调制入射光的相位的光调制器，所述光调制器包括：

第一分布式布拉格反射器DBR层，具有第一反射率，并且包括具有彼此不同的折射率并重复地交替堆叠的至少两个第一折射率层；

第二DBR层，具有第二反射率，并且包括具有彼此不同的折射率并重复地交替堆叠的至少两个第二折射率层；以及

有源层，设置在所述第一DBR层与所述第二DBR层之间，并且包括量子阱结构。

2.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述量子阱结构包括至少一个量子点，所述至少一个量子点具有满足Gs^2*Rf*Rb＜1的单个增益，并且

其中，Gs、Rf和Rb分别表示所述单个增益、所述第二反射率和所述第一反射率。

3.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述量子阱结构包括至少一个量子点，所述至少一个量子点具有满足Gs^2＞1/Rb的单个增益，以及

其中，Gs和Rb分别表示所述单个增益和所述第一反射率。

4.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述量子阱结构包括阱层和阻挡层，并且所述阱层包括多个量子点。

5.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

所述有源层包括多个堆叠结构，并且所述多个堆叠结构中的每一个包括交替地堆叠的阱层和阻挡层。

6.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述有源层包括：

具有第一多个堆叠结构的第一多堆叠结构，以及具有第二多个堆叠结构的第二多堆叠结构。

7.根据权利要求6所述的光调制器，还包括在所述第一多堆叠结构与所述第二多堆叠结构之间的阻挡层。

8.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述有源层的量子阱结构包括第一多堆叠结构和第二多堆叠结构，

其中，所述第一多堆叠结构和所述第二多堆叠结构中的每一个包括交替地堆叠的阱层和第一阻挡层，

其中，所述光调制器还包括第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述第一多堆叠结构和所述第二多堆叠结构之间，并且

其中，所述第二阻挡层的厚度大于所述第一阻挡层的厚度。

9.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述有源层的量子阱结构包括至少一个量子点，并且所述至少一个量子点的带隙能量等于所述入射光的能量。

10.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述有源层在所施加的电流下具有饱和增益，所施加的电流的值大于或等于预定值。

11.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述第一反射率大于所述第二反射率。

12.根据权利要求1所述的光调制器，还包括处理器，所述处理器被配置为通过在所述第一DBR层与所述第二DBR层之间施加电流来单独地调制所述有源层的折射率和增益。

13.根据权利要求1所述的光调制器，还包括设置在所述第二DBR层上的多个超结构。

14.根据权利要求13所述的光调制器，其中，所述多个超结构中的至少两个具有彼此不同的折射率。

15.根据权利要求1所述的光调制器，还包括设置在所述第一DBR层上的第一接触层和设置在所述第二DBR层上的第二接触层。

16.一种光束转向设备，包括：

光调制器阵列，包括多个光调制器，所述多个光调制器包括根据权利要求1所述的光调制器，所述多个光调制器具有相同的结构；以及

控制电路，被配置为单独地控制所述多个光调制器的折射率。