[发明专利]一种小型化格型晶体滤波器

权利要求书

1.一种小型化格型晶体滤波器，包括：第一集成格型晶体谐振器、第二集成格型晶体谐振器、至少两个变量器和至少三个电容，其特征在于，所述第一集成格型晶体谐振器上设置有至少一个高频晶体谐振器，且第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接，所述第二集成格型晶体谐振器上设置有至少一个低频晶体谐振器，且第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器之间通过镀膜方式连接。

2.根据权利要求1所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，第一集成格型晶体谐振器上的高频晶体谐振器的电性能参数一致，第二集成格型晶体谐振器上的低频晶体谐振器的电性能参数一致，高频晶体谐振器和低频晶体谐振器均采用具有压电效应的晶体材料，形状为圆形或者矩形。

3.根据权利要求2所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，高频晶体谐振器在第一集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个高频晶体谐振器设置于第一集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且每两个高频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个高频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第一集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应；低频晶体谐振器在第二集成格型晶体谐振器上的设置具体包括：每个低频晶体谐振器设置于第二集成格型晶体谐振器的几何对称轴上，且每两个低频晶体谐振器之间间隔一定距离；每个低频晶体谐振器包括一对圆形或者矩形的金属电极，每对金属电极包括上电极和下电极，且上电极和下电极分别沉积在第二集成格型晶体谐振器的上表面和下表面，位置完全对应。

4.根据权利要求3所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器下表面两端的两个电极分别引出有一条电极轨道，两条电极轨道引出方向相反，并且与晶片的几何对称中心轴重合，两条电极轨道与晶片边缘分别形成两个连接点，将两个连接点作为晶体谐振器的输入端和输出端。

5.根据权利要求3所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，第一集成格型晶体谐振器和第二集成格型晶体谐振器上表面的每两个电极之间通过电极轨道连接，该电极轨道和晶片的几何对称中心轴重合，该电极轨道中点处垂直引出有一条电极轨道到晶片边缘与晶片边缘形成一个连接点，将该连接点作为两个晶体谐振器之间的公共端。

6.根据权利要求1所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，所述变量器至少包括第一变量器和第二变量器，所述第一变量器和第二变量器分别包括初级线圈和次级线圈；第一变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输入端，第一变量器的次级线圈的两端分别与高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的输入端相连，所述第一变量器的次级线圈的中间端接地；第二变量器的初级线圈的两端作为晶体滤波器的输出端，第二变量器的次级线圈的两端分别与高频谐振器和低频晶体谐振器的输出端相连，所述第二变量器的次级线圈的中间端接地。

7.根据权利要求1所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，所述电容至少包括第一电容、第二电容和第三电容，第一电容一端与第一变量器和高频晶体谐振器输入端形成的公共端相连，另一端接地；第二电容一端与第二变量器和高频晶体谐振器输出端形成的公共端相连，另一端接地。

8.根据权利要求5或7所述的一种小型化格型晶体滤波器，其特征在于，高频晶体谐振器和低频晶体谐振器的公共端通过第三电容接地。