[发明专利]混合开关移相控制防反灌的充电装置及其控制方法

权利要求书

1.一种混合开关移相控制防反灌的充电装置，其特征在于，包括：直流模块、二极管、功率开关管、继电器；其中，

所述直流模块，包括：第一直流模块及第二直流模块；所述第二直流模块的正极端与所述第一直流模块的负极端之间连接混合开关，所述第一直流模块的正极端与所述第二直流模块的负极端作为输出端；所述混合开关由所述功率开关管与继电器并联构成；

所述二极管，包括：第一二极管、第二二极管及第三二极管；所述第一二极管的阳极连接至所述第二直流模块的正极端，阴极连接至所述第一直流模块的正极端；所述第二二极管的阳极连接至所述第二直流模块的负极端，阴极连接至所述第一直流模块的负极端；所述第三二极管的阴极连接至所述第一直流模块的负极端，阳极连接至所述混合开关，所述混合开关的另一端连接至所述第二直流模块的正极端，整体构成混合开关移相控制防反灌的充电输出电路。

2.根据权利要求1所述的混合开关移相控制防反灌的充电装置，其特征在于，所述功率开关管，为金氧半场效晶体管MOSFET，所述金氧半场效晶体管MOSFET的漏极/D极接所述第二直流模块的正极端，所述金氧半场效晶体管MOSFET的源极/S极接所述第三二极管的阳极。

3.根据权利要求1所述的混合开关移相控制防反灌的充电装置，其特征在于，所述功率开关管，为绝缘栅双极型晶体管IGBT，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极/C极接所述第二直流模块的正极端，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极/E极接所述第三二极管的阳极。

4.根据权利要求3所述的混合开关移相控制防反灌的充电装置，其特征在于，还包括：混合开关驱动信号；所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动信号低电位与绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极/E极相连，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极/G极驱动信号高电位端相连接；所述继电器的控制线包一端接控制地电位，另一端接继电器线包的驱动信号。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的混合开关移相控制防反灌的充电装置，其特征在于，所述第一直流模块及第二直流模块，为高频星型逆变整流的直流模块，包括：原边输入电路和副边输出电路，所述原边输入电路和副边输出电路之间通过变压器连接；

所述原边输入电路，包括大于或等于两路并联的LLC谐振输入电路，所述LLC谐振输入电路，包括：两个谐振开关、耦合电感、谐振电容及变压器的原边；所述耦合电感、谐振电容及变压器的原边绕组起始端串联后，在所述耦合电感一端串联至两个所述谐振开关之间；在所述高频星型连接的LLC谐振输入电路中，所述变压器的原边绕组终止端相连接构成星型连接点；

所述副边输出电路，包括大于或等于两路并联的LLC谐振输出电路，所述LLC谐振输出电路，包括：所述变压器的变压器副边输出电路，所述变压器副边输出电路，包括：变压器的副边及电源全波整流输出端，所述变压器的副边并联后连接至所述电源全波整流输出端。

6.根据权利要求5所述的混合开关移相控制防反灌的充电装置，其特征在于，在所述原边输入电路中，两个所述谐振开关中的一个接地。

7.根据权利要求5所述的混合开关移相控制防反灌的充电装置，其特征在于，在所述LLC谐振输出电路中，所述变压器的一条副边两侧分别设置有防反灌的直流模块二极管。

8.根据权利要求5所述的混合开关移相控制防反灌的充电装置，其特征在于，在所述LLC谐振输出电路中，所述电源全波整流输出端前端设置有电解电容。