[发明专利]封装

说明书

一种封装包括集成电路。所述集成电路包括第一芯片、第二芯片、第三芯片及第四芯片。第二芯片及第三芯片并排设置在第一芯片上。第二芯片及第三芯片混合接合到第一芯片。第四芯片熔融接合到第二芯片及第三芯片中的至少一者。

技术领域

本发明实施例涉及一种封装。更具体来说，本发明实施例涉及一种具有熔融接合结构以及混合接合结构的封装。

背景技术

例如手机及其他移动电子装备等各种电子设备中所使用的半导体装置及集成电路通常被制造在单个半导体晶片(semiconductor wafer)上。可在晶片级(wafer level)上对晶片(wafer)的管芯进行处理并与其他半导体装置或管芯封装在一起，且已针对晶片级封装(wafer level packaging)开发出各种技术及应用。多个半导体装置的集成已成为所述领域的一个挑战。

发明内容

一种封装包括集成电路。所述集成电路包括第一芯片、第二芯片、第三芯片及第四芯片。第二芯片及第三芯片并排设置在第一芯片上。第二芯片及第三芯片混合接合到第一芯片。第四芯片熔融接合到第二芯片及第三芯片中的至少一者。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，能最好地理解本发明的各方面。注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。事实上，为论述的清晰起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A至图1P是根据本公开一些实施例的封装的制造工艺的示意性剖视图。

图2A至图2L是根据本公开一些替代性实施例的封装的制造工艺的示意性剖视图。

图3A至图3Q是根据本公开一些替代性实施例的封装的制造工艺的示意性剖视图。

图4A至图4Q是根据本公开一些替代性实施例的封装的制造工艺的示意性剖视图。

图5A至图5B是根据本公开一些替代性实施例的封装的制造工艺的示意性剖视图。

附图标号说明

10、20、30、40、60：封装

100、200、300、400：芯片

102、102a、202、202a、302、302a、402：半导体衬底

104、204、304、312、404、700、700a、700b：内连线结构

106、206、306、314、406、DI：介电层

108、208、308、316、408：导体

210、310：半导体穿孔

500、500a：绝缘包封体

600：绝缘穿孔

800、800a、800b：钝化层

900、900a、900b：导通孔

900’：焊料

1000：导电结构

1100：包封体

1200：重布线结构

1202：层间介电层

1204：重布线导电图案

1300、1400、1500：导电端子

A₁₀₀、A₃₀₀、A₄₀₀：有源表面

AD：粘合层