[发明专利]基于立体电感的双层硅基滤波器

权利要求书

1.一种基于立体电感的双层硅基滤波器，其特征在于，包括：具有多个孔的上硅片和具有多个孔的下硅片；

所述上硅片的上表面设置多个不同的第一电感结构，所述上硅片的下表面对应设置多个不同的第二电感结构，且各个所述第一电感结构与对应的第二电感结构通过孔连接构成立体电感结构；

所述下硅片的上表面设置多个不同的第三电感结构，且所述第三电感结构与所述第二电感结构相同，所述第三电感结构与所述第二电感结构键合绑定；

其中，所述下硅片的上表面设置的第三电感结构分别与所述上硅片的下表面设置的第二电感结构对应，且图形完全相同。

2.如权利要求1所述的基于立体电感的双层硅基滤波器，其特征在于，所述上硅片和所述下硅片上设置的孔为通孔或者为盲孔；

所述孔的形状为圆形、长方形或正方形中任一种形状；

所述孔的孔壁垂直于水平面或与水平面的夹角为预设夹角；

在所述下硅片的孔中设置金属柱，所述金属柱的金属为金或铜。

3.如权利要求1所述的基于立体电感的双层硅基滤波器，其特征在于，每个立体电感结构均为螺旋立体电感结构，由所述第一电感结构中的每个金属条与对应的所述第二电感结构中的每个金属条通过孔依次首尾连接构成。

4.如权利要求1所述的基于立体电感的双层硅基滤波器，其特征在于，所述上硅片的下表面上的除连接所述第二电感结构的孔之外的孔上设置第一预设形状第一金属层，且与所述第一金属层构成屏蔽结构；

所述第一金属层与所述第二电感结构位于同一平面上。

5.如权利要求4所述的基于立体电感的双层硅基滤波器，其特征在于，所述下硅片的上表面上的除连接所述第三电感结构的孔之外的孔上设置预设第二形状的第二金属层，且与所述第二金属层构成屏蔽结构；

所述第二金属层与所述第三电感结构位于同一平面上，且所述第二金属层上的屏蔽结构与对应的所述第一金属层上的部分屏蔽结构相同。

6.如权利要求5所述的基于立体电感的双层硅基滤波器，其特征在于，所述上硅片的下表面上与所述下硅片的上表面上相同部分的屏蔽结构键合绑定。

7.如权利要求6所述的基于立体电感的双层硅基滤波器，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层采用的金属为金或者铜。

8.如权利要求5所述的基于立体电感的双层硅基滤波器，其特征在于，所述下硅片的上表面的所述第二金属层上在预设位置还设置多个电容结构。

9.如权利要求8所述的基于立体电感的双层硅基滤波器，其特征在于，所述电容结构中电容介质为SiN或SiO₂。

10.如权利要求1所述的基于立体电感的双层硅基滤波器，其特征在于，还包括输入端口和输出端口；

所述输入端口和所述输出端口设置在所述下硅片的上表面，并通过所述上硅片的下表面上设置的开口引出。