[发明专利]基于铌酸锂单晶薄膜的微环电光调制器及使用方法和应用在审
申请号: | 202010274977.8 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN111458908A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 杨明祥;崔乃迪;杨忠华;梁宇鑫;冯靖;李智慧;廖海军;陈仙;冯俊波;郭进 | 申请(专利权)人: | 联合微电子中心有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03;G02F1/035;H04B10/69 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 谢毅 |
地址: | 400030 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 铌酸锂单晶 薄膜 电光 调制器 使用方法 应用 | ||
1.基于铌酸锂单晶薄膜的微环电光调制器,其特征在于,包括铌酸锂单晶薄膜,其包括微环结构和光波导,所述微环结构和所述光波导均设置于所述铌酸锂单晶薄膜上设置有铌酸锂的一侧,
电极,所述电极分别设置于所述微环结构内侧和所述微环结构外侧。
2.如权利要求1所述的基于铌酸锂单晶薄膜的微环电光调制器,其特征在于,所述微环结构的半径
λ为工作波长,λFSR为所述微环结构的自由光谱范围,ng为所述光波导群折射率。
3.如权利要求1所述的基于铌酸锂单晶薄膜的微环电光调制器,其特征在于,所述铌酸锂单晶薄膜包括按层状结构依次设置的半导体衬底、二氧化硅层以及所述铌酸锂。
4.如权利要求3所述的基于铌酸锂单晶薄膜的微环电光调制器,其特征在于,所述半导体衬底为硅衬底。
5.如权利要求1所述的基于铌酸锂单晶薄膜的微环电光调制器,其特征在于,所述光波导为脊形波导。
6.一种包括权利要求1至4中任一项所述的基于铌酸锂单晶薄膜的微环电光调制器的使用方法,包括以下步骤:
选择所述微环电光调制器,使所述微环结构的自由光谱范围与所需射频信号的频率匹配;
输入光载波,使其偏置在所述微环结构的传输函数的最大斜率处。
7.一种光子射频接收前端,其特征在于,包括权利要求1至4中任一项所述的基于铌酸锂单晶薄膜的微环电光调制器;以及
天线,用于接收射频信号并反馈至所述微环电光调制器;以及
可调谐稳频激光器,用于对所述微环电光调制器输入光载波;以及
光分路器,用于将微环电光调制器的输出光信号分别传输至与第一光电探测器和第二光电探测器连接;
第一光电探测器,用于将光信号发送至所述反馈控制单元,所述反馈控制单用于输出电压信号使所述可调谐稳频激光器输出光的频率与所述微环的谐振频率匹配;
第二光电探测器,用于将所述微环电光调制器输出的光信号转换为电信号。
8.如权利要求7所述的光子射频接收前端,其特征在于,所述光分路器对所述第一光电探测器和所述第二光电探测器输出的光功率比为1:9。
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