[发明专利]一种SOI FinFET器件及其制作方法

权利要求书

1.一种SOIFinFET器件，其特征在于，包括：

衬底，在所述衬底上具有掺杂形成成组的源区和漏区；

每一组所述源区和所述漏区之间的上方为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域中的任一区域；其中，所述第一区域用于形成P型低阈值电压器件的栅极，所述第二区域用于形成P型标准阈值电压器件的栅极，所述第三区域用于形成N型低阈值电压器件的栅极，所述第四区域用于形成N型标准阈值电压器件的栅极；

所述第一区域由下至上依次设置为高K介质层、第一掺杂层、第二掺杂层、TiN层以及填充层；其中，所述第一掺杂层为含有增大有效功函数的掺杂剂的TiN层，所述第二掺杂层为含有减小有效功函数的掺杂剂的TiN层；

所述第二区域由下至上依次设置为所述高K介质层、所述第一掺杂层、所述第二掺杂层、所述TiN层以及所述填充层；

所述第三区域由下至上依次设置为所述高K介质层、所述第二掺杂层、所述TiN层以及所述填充层；

所述第四区域由下至上依次设置为所述高K介质层、所述第二掺杂层以及所述填充层。

2.根据权利要求1所述的SOIFinFET器件，其特征在于，所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域以及所述第四区域中任一个或多个区域的所述第二掺杂层上方相邻一层均设置有刻蚀阻挡层。

3.根据权利要求1所述的SOI FinFET器件，其特征在于，所述第一区域中的所述TiN层的厚度大于所述第二区域中的所述TiN层的厚度。

4.根据权利要求1所述的SOI FinFET器件，其特征在于，所述填充层由下至上依次为TiAl层，TiN层以及金属钨。

5.根据权利要求1所述的SOI FinFET器件，其特征在于，所述第一掺杂层为BF₂离子的TiN层，所述第二掺杂层为P离子的TiN层。

6.一种SOIFinFET器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上的高K介质层上的第一区域和第二区域沉积第一掺杂层；其中，所述衬底具有成组的源区和漏区，所述第一区域和所述第二区域分别位于成组的所述源区和所述漏区之间的上方，所述第一区域用于形成P型低阈值电压器件的栅极，所述第二区域用于形成P型标准阈值电压器件的栅极，其中，所述第一掺杂层为含有增大有效功函数的掺杂剂的TiN层；

继续在所述高K介质层上的所述第一区域、所述第二区域、第三区域和第四区域沉积第二掺杂层；其中，所述第二区域和所述第三区域分别位于成组的所述源区和所述漏区之间的上方，所述第三区域用于形成N型低阈值电压器件的栅极，所述第四区域用于形成N型标准阈值电压器件的栅极，所述第二掺杂层为含有减小有效功函数的掺杂剂的TiN层；

继续在所述高K介质层上的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域沉积TiN层；

继续在所述高K介质层上的所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域沉积填充层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在衬底上的高K介质层上的第一区域和第二区域沉积第一掺杂层，包括：

在衬底上的高K介质层上沉积第一掺杂层；

在所述第一掺杂层上涂布BARC层，并剥除所述第三区域和所述第四区域的所述BARC层；

采用刻蚀方法去除所述第三区域和所述第四区域的所述第一掺杂层。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述高K介质层上的所述第一区域、所述第二区域、第三区域和第四区域沉积第二掺杂层之后，且所述在所述高K介质层上的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域沉积TiN层之前，还包括：

在所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域沉积刻蚀阻挡层。