[发明专利]金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法

说明书

本公开公开了一种金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法，包括：提供一基底，所述基底一侧表面上具有金属层；对所述金属层进行刻蚀；以及在所述金属表面形成氧化膜。本公开中，在金属刻蚀后，在金属表面形成的氧化膜可以阻断大气中的水蒸气与金属表面及其内部残留的氯成分反应，防止金属刻蚀后金属腐蚀的发生。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，金属(如铝)刻蚀工艺后为了防止金属的腐蚀，必须在同一设备系统中的剥离工艺腔室里利用水蒸气(H₂O gas)形成等离子体将金属(如铝)表面上的氯(Cl)成分去除。但是在金属刻蚀与湿法去除工艺后，如遇设备故障等问题，晶片需要在一定的期间下(一般为72小时)在工厂内待机，晶片上残留的Cl成分会与工厂大气内存在的水蒸气反应，从而对金属产生腐蚀。如何防止金属刻蚀后残留的Cl成分对金属产生腐蚀是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本公开至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题。为此，本公开提出一种防止金属离子迁移的方法，在金属刻蚀后，在金属表面沉积形成二氧化硅(SiO₂)膜；形成的氧化膜可以阻断大气中的水蒸气与金属表面及内部残留的Cl成分反应，防止金属腐蚀的发生。

为了实现上述目的，本公开一个方面提供了一种金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法，包括：

提供一基底，所述基底一侧表面上具有金属层；

对所述金属层进行刻蚀；以及

在所述金属表面形成氧化膜。

根据本公开的另一个方面，提供了一种半导体器件的制备方法，所述制备方法包括采用如上任意一项所述的金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法。

本公开具有以下有益效果：提供的金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法，在金属刻蚀工艺进行后，为了防止晶片长时间(一般为72小时)在工厂内待机，金属与工厂大气中的水蒸气相互反应而产生腐蚀，在剥离腔室中利用硅烷(SiH₄)气体和氧气(O₂)产生等离子反应，在金属表面沉积形成二氧化硅(SiO₂)膜；形成的氧化膜可以阻断大气中的水蒸气与金属表面及内部残留的Cl成分反应，防止金属腐蚀的发生。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本公开的一个实施例的基底以及在基底上的预刻蚀图形的结构示意图；

图2示出了在图1所示的结构上金属层刻蚀后的结构示意图；

图3示出了在图2所示的结构上灰化和去除金属表面氯成分后的结构示意图；

图4示出了在图3所示的结构上金属表面形成氧化膜的结构示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。