[发明专利]一种提高重复使用率的低损硅基滤波芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种提高重复使用率的低损硅基滤波芯片，其特征在于，包括：高阻硅介质层、第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，所述第一金属层设置在高阻硅介质层的顶面，所述高阻硅介质层底面内凹设置有硅腔，所述第二金属层设置在硅腔中，所述第三金属层设置在高阻硅介质层底面并避开硅腔，所述第四金属层设置在第三金属层的底面，所述高阻硅介质层中设置有向上贯穿第一金属层的通孔，所述通孔分别与第二金属层和/或第三金属层位置对应并向下贯穿对应的第二金属层和/或第三金属层，所述通孔内壁设置有金属沉积层。

2.根据权利要求1所述的提高重复使用率的低损硅基滤波芯片，其特征在于，所述通孔向下贯穿对应的第三金属层时，第四金属层上设置有与通孔底部对应的避让孔或者避让槽。

3.根据权利要求1所述的提高重复使用率的低损硅基滤波芯片，其特征在于，所述第一金属层和/或第二金属层上设置有开槽谐振器。

4.根据权利要求3所述的提高重复使用率的低损硅基滤波芯片，其特征在于，所述开槽谐振器为直线型槽线、弧线型槽线和波浪型槽线中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的提高重复使用率的低损硅基滤波芯片，其特征在于，所述高阻硅介质层的电阻率≥3000Ω/cm。

6.根据权利要求1所述的提高重复使用率的低损硅基滤波芯片，其特征在于，所述第一金属层的厚度为D1，且2um≤D1≤10um，所述高阻硅介质层的厚度为D2，200um≤D2≤500um，所述第二金属层及第三金属层的厚度为D3，且2um≤D3≤10um，所述第四金属层的厚度为D4，且10um≤D4≤20um，所述金属沉积层的厚度为D5，且2um≤D5≤10um。

7.根据权利要求1所述的提高重复使用率的低损硅基滤波芯片，其特征在于，所述通孔与第三金属层位置对应并向下贯穿对应的第三金属层时，通孔位于硅腔四周。

8.一种硅基滤波芯片的制作方法，进行权利要求1~7任一所述提高重复使用率的低损硅基滤波芯片的制作，其特征在于，包括以下步骤：

在高阻硅介质层的底部通过局部深硅刻蚀，不刻穿而形成具有一定深度的硅腔；

在高阻硅介质层上通过局部深硅刻蚀，刻穿而形成多个通孔；

对高阻硅介质层采取微机械加工工艺，得到位于高阻硅介质层顶面的第一金属层、位于硅腔中的第二金属层、位于高阻硅介质层底面的第三金属层以及位于通孔内壁上的金属沉积层；

通过微机械加工工艺，在第三金属层底部形成第四金属层。

9.根据权利要求8所述的硅基滤波芯片的制作方法，其特征在于，还包括：在第一金属层和/或第二金属层上刻蚀得到开槽谐振器，所述通孔底部位于第四金属层上时，通过选择性电镀形成第四金属层及第四金属层上位于对应通孔下方的避让孔或者避让槽。

10.根据权利要求8所述的硅基滤波芯片的制作方法，其特征在于，所述微机械加工工艺包括但不限于溅射、电镀和刻蚀。