[发明专利]一种外生菌根真菌的菌根苗快速培育方法

权利要求书

1.一种外生菌根真菌的菌根苗快速培育方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、将无菌苗培育土进行高温高压灭菌；

b、将宿主植物种子用消毒液进行表面消毒后，播于灭菌的无菌苗培育土中，待其发芽后继续培育30-45天，然后移栽到装有经高温高压灭菌的菌根苗培育基质的无菌容器中；

c、选取高活力的菌根，去除表土后用自来水冲洗干净，最后再用无菌水清洗；

d、将洗净的菌根贴放于上述宿主幼苗根系上，置于温室或者培养箱中培育至形成菌根苗；

e、选取菌根形成良好的菌根苗，作为感染母苗，与无菌幼苗或经过消毒处理的宿主植物种子在无菌的菌根苗培育基质中共同培育，以获得大量外生菌根真菌的菌根苗。

2.根据权利要求1所述的一种外生菌根真菌的菌根苗快速培育方法，其特征在于，a步骤中无菌苗培育土选用蛭石或者菌根苗培育基质。

3.根据权利要求1或2所述的一种外生菌根真菌的菌根苗快速培育方法，其特征在于，所述菌根苗培育基质由珍珠岩或煅烧心土与森林表土按2：1的比例混合而成。

4.根据权利要求3所述的外生菌根真菌的菌根苗快速培育方法，其特征在于，所述煅烧心土为心土经过高温煅烧成颗粒状，pH为5.5-6.0的无养分土；森林表土取自于生长目的外生菌根真菌的森林中，去除腐殖质层后，过孔径1cm的筛子。

5.根据权利要求1所述的外生菌根真菌的菌根苗快速培育方法，其特征在于：a与b步骤中高温高压灭菌温度为121℃，压力为1.2pa，灭菌时间为3h。

6.根据权利要求1所述的外生菌根真菌的菌根苗快速培育方法，其特征在于：b步骤中消毒液选用30％的H₂O₂或1％的NaClO。

7.根据权利要求1所述的外生菌根真菌的菌根苗快速培育方法，其特征在于：d步骤中温室或培养室的培育条件为：光照条件下，培育温度为23-25℃，培育时间为16h；黑暗条件下，培育温度为20℃，培育时间为8h；温室光照为自然光或在恒温培养箱的光照为6000lux的条件下进行培育。