[发明专利]一种OTS材料、选通器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 202010277520.2 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111584710B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 武仁杰;朱敏;贾淑静;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 魏峯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ots 材料 选通器 单元 及其 制备 方法 | ||
1.一种OTS材料，其特征在于，所述材料的化学式为Ga0.45S0.55或GaxS1-x-yRy，式中0.333x0.667，0﹤y≤0.55，R为As,C,N,Si,Ge,S,Se,Te,Sb中的一种或者几种。
2.根据权利要求1所述材料，其特征在于，所述GaxS1-x-yRy为Ga0.45S0.05N0.5或Ga0.42As0.06S0.52。
3.一种如权利要求1所述OTS材料的制备方法，其特征在于，采用溅射法、蒸发法、物理气相法、化学气相法、分子束外延法、原子气相沉积法或原子层沉积法制备OTS材料。
4.一种选通器单元，其特征在于，所述单元包括如权利要求1所述OTS材料。
5.根据权利要求4所述单元，其特征在于，所述单元自下而上依次包括：下电极层、OTS材料层、上电极层、引出电极。
6.根据权利要求5所述单元，其特征在于，所述上电极层的厚度为10nm～50nm；OTS材料层的厚度为1nm～100nm。
7.根据权利要求5所述单元，其特征在于，所述引出电极的厚度为100nm～500nm。
8.根据权利要求5所述单元，其特征在于，所述下电极层、上电极层和引出电极的材料包括金属单质W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、Ni及其氮化物中的一种或几种。
9.一种如权利要求4所述单元的制备方法，包括：
(1)制备下电极层；
(2)在步骤(1)中下电极层上制备选通材料层，其中，选通材料层采用OTS材料；
(3)在步骤(2)中选通材料层上制备上电极层；
(4)在步骤(3)中上电极层上制备引出电极。
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