[发明专利]沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010277890.6 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN113517341A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 常虹 | 申请（专利权）人： | 南京紫竹微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市江北新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种沟槽型功率器件的沟槽栅结构，其特征在于，
在半导体基底的沟槽内底部的设有厚氧化层，沟槽侧壁形成沟槽型功率器件的栅氧化层，及在沟槽内沉积形成一个塞状多晶硅栅极，且在厚氧化层上方及多晶硅栅极下方设有第一限制部，及包覆第一限制部的第二限制部。
2.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的沟槽栅结构，其特征在于，所述厚氧化层的厚度为工序中所需要的厚度。
3.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的沟槽栅结构，其特征在于，所述第一限制部为氮化硅及氧化硅其中之一。
4.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的沟槽栅结构，其特征在于，所述第二限制部为多晶硅。
5.一种沟槽型功率器件的沟槽栅制造方法，其制造方法特征在于包括以下工序，
在半导体基底内形成沟槽；
在半导体基底上表面、沟槽内和沟槽侧壁生成二氧化硅形成的第一氧化层，第一氧化层在沟槽内底部的形成厚氧化层；
在第一氧化层的表面透过沉积技术形成薄的多晶硅层；
透过沉积技术将氮化硅层沉积以填充前述多晶硅层在沟槽中间留出间隙；
透过蚀刻技术去除氮化硅层，且保留部分在沟槽中的氮化硅，形成一个塞状的第一限制部；
透过干蚀刻技术去除前述多晶硅层，且保留包覆在第一限制部外的多晶硅形成第二限制部；
随后对第一氧化层进行定时湿式蚀刻，藉由第一限制部及第二限制部的存在，保留第二限制部下方的厚氧化层；
在半导体基底上表面及沟槽侧壁形成沟槽型功率器件的栅氧化层，及在沟槽内沉积形成一个塞状多晶硅栅极。
6.根据权利要求5所述的沟槽型功率器件的沟槽栅制造方法，其特征在于，所述第一氧化层在沟槽内底部的形成厚氧化层的厚度为工序中所需要的厚度。
7.根据权利要求5所述的沟槽型功率器件的沟槽栅制造方法，其特征在于，所述多晶硅层薄至在沟槽中间留出间隙。
8.根据权利要求5所述的沟槽型功率器件的沟槽栅制造方法，其特征在于，进一步形成第一限制部的材料为氧化硅；其工序为透过沉积技术将氧化硅层沉积以填充前述多晶硅层在沟槽中间留出间隙，透过蚀刻技术去除氧化硅层，且保留部分在沟槽中的氧化硅，形成一个塞状的第一限制部。
9.根据权利要求5所述的沟槽型功率器件的沟槽栅制造方法，其特征在于，所述第一限制部的高度大于第一氧化层的厚度。
10.根据权利要求5所述的沟槽型功率器件的沟槽栅制造方法，其特征在于，所述第二限制部的高度大于第一氧化层的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京紫竹微电子有限公司，未经南京紫竹微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010277890.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳酸盐岩走滑断裂破碎带内部结构划分方法与装置
- 下一篇：一种制冷系统
- 同类专利
- 专利分类
