[发明专利]梯型毫米波芯片键合结构

说明书

本发明涉及一种梯型毫米波芯片键合结构，包括结构采用若干金丝线通过合适的键合方式组成键合结构。结构采用两根或三根金丝线。结构中的金丝线采用平行的键合方式。结构中的金丝线采用八字形的键合方式，即金丝线间一端间距较近，另一端间距较远。采用了本发明的梯型毫米波芯片键合结构，使用于Rogers 5880微带线键合，具有合适键合方式和合适的键合金丝根数，解决了解决40GHz以下频率金丝键合所需的根数仿真和金丝键合线的摆布方式。

技术领域

本发明涉及微波射频技术领域和装配领域，具体是指一种梯型毫米波芯片键合结构。

背景技术

在微波多芯片电路技术中，常采用金丝键合技术来实现微带传输线、单片微波集成电路和集总式元器件之间的互连。在现有的研究中，影响金丝键合的因素有以下几种：数量、长度、拱高、跨距、焊点位置等，在高频段，键合金丝的寄生电感效应尤为明显。

同常的金丝键合模型如图1所示，等效原理图如图2所示。在等效电路模型中，串联电感L和并联电容C的计算公式如下：C＝ε_rε₀(B/h₀)。其中ε_r和ε₀为自由空间的磁导率和电导率，μ_r、ε_r分别表示键合金丝的相对磁导率、相对电导率，h₀为介质基板的厚度，B表示金丝焊盘的面积，当键合线的直径d和屈服深度d_s的比值满足d/d_s＜3.394时，电阻R表示为：R＝(4ρl/πd²)·cos[0.041(d/d_s)²]；当d/d_s＞3.394时，电阻R表示为：

目前，已知的键合方式有楔型和球型，为了尽量降低导线的感抗和阻抗，要求键合先孤独的长度尽量降低。

本发明采取一种梯型的键合方式，通过仿真的方式，对金丝键合的线数、方式，使用于Rogers 5880微带线键合。

发明内容

本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种满足误差小、结构简便、适用范围较为广泛的梯型毫米波芯片键合结构。

为了实现上述目的，本发明的梯型毫米波芯片键合结构如下：

该梯型毫米波芯片键合结构，其主要特点是，所述的结构采用若干金丝线通过合适的键合方式组成键合结构。

较佳地，所述的结构采用两根或三根金丝线。

较佳地，所述的结构中的金丝线采用平行的键合方式。

较佳地，所述的结构中的金丝线采用八字形的键合方式，即金丝线间一端间距较近，另一端间距较远。

采用了本发明的梯型毫米波芯片键合结构，使用于Rogers 5880微带线键合，具有合适键合方式和合适的键合金丝根数，解决了解决40GHz以下频率金丝键合所需的根数仿真和金丝键合线的摆布方式。

附图说明

图1为现有技术的金丝键合模型图。

图2为现有技术的等效原理图。

图3为现有技术的仿真结果图。

图4为本发明的梯型毫米波芯片键合结构的2根金丝键合的仿真结果图。

图5为本发明的梯型毫米波芯片键合结构的3根金丝键合的仿真结果图。

图6为本发明的梯型毫米波芯片键合结构的八字形仿真模型图。

图7为本发明的梯型毫米波芯片键合结构的八字形仿真结果图。

具体实施方式