[发明专利]存储装置及其编程方法在审
申请号: | 202010278346.3 | 申请日: | 2020-04-10 |
公开(公告)号: | CN113495722A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 古绍泓;程政宪;铃木淳弘;黄昱闳;陈圣楷;蔡文哲 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F8/30 | 分类号: | G06F8/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 及其 编程 方法 | ||
1.一种存储装置,包括:
一存储器阵列,包括多个存储单元;
多条字线,分别连接于这些存储单元,其中这些字线在进行编程时,这些字线的其中之一为选择状态,其余的这些字线为未选择状态,部分的未选择状态的这些字线归类为一第一群组及一第二群组,该第一群组及该第二群组分别位于选择状态的该字线的两侧;以及
一电压产生器,电性连接于该存储器阵列,其中
该电压产生器在一编程期间提供一编程电压至选择状态的该字线;
该电压产生器提供一第一双阶段电压波型至该第一群组的未选择状态的这些字线,该第一双阶段电压波型包括施加于一第一初步期间(preliminary duration)的一第一初步电压及施加于一第一步进期间的一第一步进电压;以及
该电压产生器提供一第二双阶段电压波型至该第二群组的未选择状态的这些字线,该第二双阶段电压波型包括施加于一第二初步期间的一第二初步电压及施加于一第二步进期间的一第二步进电压。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中提供于该第二群组的该第二步进电压低于提供于该第一群组的该第一步进电压。
3.根据权利要求2所述的存储装置,其中该第二群组的该第二初步期间大于该第一群组的该第一初步期间。
4.根据权利要求1所述的存储装置,其中部分的未选择状态的这些字线归类为一第三群组,该第三群组邻近于选择状态的该字线的两旁,该电压产生器提供一第一单阶段电压波型至该第三群组的未选择状态的这些字线,该第一单阶段电压波型包括一通过电压,提供于该第三群组的该通过电压低于该编程电压。
5.根据权利要求4所述的存储装置,其中提供于该第一群组的该第一步进电压低于或等于提供于该第三群组的该通过电压。
6.根据权利要求4所述的存储装置,其中提供于该第二群组的该第二步进电压低于或等于提供于该第三群组的该通过电压。
7.根据权利要求4所述的存储装置,其中部分的未选择状态的这些字线归类为一第四群组,该第四群组位于该第二群组的一旁且邻近于一源极线,该电压产生器提供一第二单阶段电压波型至该第四群组,该第二单阶段电压波型包括施加于一写入期间的一偏置电压。
8.根据权利要求7所述的存储装置,其中提供于该第四群组的该偏置电压低于提供于该第二群组的该第二步进电压。
9.根据权利要求7所述的存储装置,其中该第三群组的未选择状态的这些字线的数量大于二,该第四群组的未选择状态的这些字线的数量大于二。
10.一种编程方法,用以对一存储装置进行编程,该存储装置包括一存储阵列及多条字线,该存储阵列包括多个存储单元,其中这些字线在进行编程时,这些字线的其中之一为选择状态,其余的这些字线为未选择状态,部分的未选择状态的这些字线归类为一第一群组及一第二群组,该第一群组及该第二群组分别位于选择状态的该字线的两侧,该编程方法包括:
在一编程期间提供一编程电压至选择状态的该字线;
提供一第一双阶段电压波型至该第二群组的未选择状态的这些字线,该双阶段电压波型包括施加于一第一初步期间的一第一初步电压及施加于一第一步进期间的一第一步进电压;以及
提供一第二双阶段电压波型至该第二群组的未选择状态的这些字线,该第二双阶段电压波型包括施加于一第二初步期间的一第二初步电压及施加于一第二步进期间的一第二步进电压。
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