[发明专利]一种功率放大器

权利要求书

1.一种功率放大器，其特征在于，包括：

正温度系数电流源电路，其输出正温度系数电流；

负温度系数电流源电路，其输出负温度系数电流；

电流镜电路，其接收所述正温度系数电流和所述负温度系数电流并将两个温度系数电流组合成一个温度系数可调节的电流源，所述电流镜电路输出所述温度系数可调节的电流源；

偏置电压电路，其根据所述温度系数可调节的电流源输出变化的电流；以及

信号放大电路，其采用锗化硅异质结三极管电路放大接入的射频信号，并将放大后的射频信号输出，所述信号放大电路与所述偏置电压电路电连接；

其中，偏置电压电路包括：第五PMOS管，其漏极连接所述电流镜电路的输出端，所述第五PMOS管的漏极与栅极连通，所述第五PMOS管的源极连接工作电源；

第六PMOS管，其为所述信号放大电路提供一路变化的电流，所述第六PMOS管的源极连接工作电源，所述第六PMOS管的栅极连接所述第五PMOS管的漏极，所述第六PMOS管的漏极连接所述信号放大电路；以及

第七PMOS管，其为所述信号放大电路提供另一路变化的电流，所述第七PMOS管的源极连接工作电源，所述第七PMOS管的栅极连接所述第五PMOS管的漏极，所述第七PMOS管的漏极连接所述信号放大电路。

2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述正温度系数电流源电路包括：

第一电阻，其一端与工作电源连接并输入正温度系数电流；

第一NMOS管，其漏极与栅极连通并连接所述第一电阻的另一端，所述第一NMOS管的源极接地；

第一PMOS管，其源极连接工作电源，所述第一PMOS管的栅极和漏极连通；

第二NMOS管，其漏极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的源极接地；以及

第二PMOS管，其源极连接工作电源，所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极连接所述电流镜电路输入端。

3.如权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，当所述第二PMOS管的长宽比受到调节而变化时，所述第二PMOS管的漏极输出电流的大小相应变化。

4.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述负温度系数电流源电路包括：

第二电阻，其一端与工作电源连接并输入负温度系数电流；

第三NMOS管，其漏极与栅极连通并连接所述第二电阻的另一端，所述第三NMOS管的源极接地；

第三PMOS管，其源极连接工作电源，所述第三PMOS管的栅极和漏极连通；

第四NMOS管，其漏极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第四NMOS管的栅极连接所述第三NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的源极接地；以及

第四PMOS管，其源极连接工作电源，所述第四PMOS管的栅极连接所述第三PMOS管的栅极，所述第四PMOS管的漏极连接所述电流镜电路输入端。

5.如权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，当所述第四PMOS管的长宽比受到调节而变化时，所述第四PMOS管的漏极输出电流的大小相应变化。

6.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述电流镜电路包括：

第五NMOS管，其漏极为所述电流镜电路的输入端，所述第五NMOS管的漏极与栅极连通，所述第五NMOS管的源极接地；以及

第六NMOS管，其栅极连接所述第五NMOS管的栅极，所述第六NMOS管的源极接地，所述第六NMOS管的漏极连接所述偏置电压电路，所述第六NMOS管的漏极为所述电流镜电路的输出端。

7.如权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，当所述第六NMOS管的长宽比受到调节而变化时，所述第六NMOS管的漏极输出电流的大小相应变化。