[发明专利]一种诱导和抑制锂枝晶生长的复合隔膜及制备方法和使用该隔膜的锂离子电池

权利要求书

1.一种诱导和抑制锂枝晶生长的复合隔膜，其特征在于：由基底隔膜、基底隔膜表面的金属化合物层和金属化合物层上面的导电碳层组成，所述的金属化合物层厚度为5～15μm，所述的导电碳层厚度为5～15μm，所述的金属化合物层与导电碳层的厚度比为1:0.8-1.5；

所述复合隔膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤(1)：将PVDF-HFP溶解/分散在溶剂中，并将分散体在60℃高温下磁力搅拌6h；

步骤(2)：将金属化合物与粘合剂放到高能球磨机内，球磨混合均匀，得到金属化合物混合物；

步骤(3)：将步骤(1)中的分散体加入步骤(2)中的球磨罐中，继续球磨混合均匀，得到金属化合物混合液，悬浮液中固体含量在25％～75％；

步骤(4)：将步骤(3)中制备好的悬浮液涂覆在基底隔膜上，烘干后得到金属化合物复合隔膜；

步骤(5)：将导电碳和粘合剂放到高能球磨机内，球磨混合均匀，得到碳混合物；

步骤(6)：将步骤(5)中得到的碳混合物内加入溶剂，继续球磨混合均匀，得到碳悬浮液，悬浮液中固体含量在25％～75％；

步骤(7)：将步骤(6)中制备好的悬浮液涂覆在步骤(4)得到的金属化合物复合隔膜上，烘干得到金属化合物-导电碳层复合隔膜；

所述的步骤(2)中的金属化合物为LiF、Mo₂C中的一种。

2.根据权利要求1所述的一种诱导和抑制锂枝晶生长的复合隔膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤(2)、(3)、(5)、(6)中的球磨时间为：2-10小时，所述的球磨转速为200-1000转/分钟。

3.根据权利要求1所述的一种诱导和抑制锂枝晶生长的复合隔膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤(4)中的基底隔膜为商品化的PP、PE中的一种或两者复合的隔膜。

4.根据权利要求1所述的一种诱导和抑制锂枝晶生长的复合隔膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤(4)、(7)中的烘干温度为40-60℃，所述的烘干时间为3-12小时。

5.根据权利要求1所述的一种诱导和抑制锂枝晶生长的复合隔膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤(2)、(5)中的粘合剂为：SBR、CMC、PVDF中的一种或者两种以上混合物。

6.根据权利要求1所述的一种诱导和抑制锂枝晶生长的复合隔膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤(1)、(6)中的溶剂为：去离子水、NMP、异丙醇中的一种或者两种以上的混合物。

7.一种锂离子电池，包括隔膜，其特征在于：所述隔膜为权利要求1所述的复合隔膜。

8.一种锂离子电池，包括隔膜，其特征在于：所述隔膜为权利要求2-6所述的任何一种制备方法制得的复合隔膜。