[发明专利]一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构

权利要求书

1.一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构，由管帽和管座构成，其特征在于：所述管座包括面板金属片、散热基座、制冷器散热支撑板、多层高频陶瓷电路基板和倒U形金属压圈；在所述散热基座上设有供制冷器散热支撑板嵌入的嵌入槽，部分制冷器散热支撑板嵌入在所述嵌入槽内并与多层高频陶瓷电路基板的下表面接触，所述多层高频陶瓷电路基板的下表面同时与散热基座接触；所述制冷器散热支撑板未嵌入所述嵌入槽内的部分向管帽方向延伸形成用于装载制冷器的承载平面，所述承载平面与所述管帽的轴线相平行；

所述倒U形金属压圈包覆住多层高频陶瓷电路基板的部分外露面，该多层高频陶瓷电路基板向管帽方向延伸形成前端电信号输出/入口部分，在所述多层高频陶瓷电路基板内部印刷有高频信号电路布线和其他互联的电源和信号的布线；

所述管帽通过面板金属片与管座连接。

2.根据权利要求1所述的一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构，其特征在于：所述面板金属片为内部镂空结构，其外边缘与散热基座、倒U形金属压圈连接，该多层高频陶瓷电路基板前端电信号输出/入口部分和制冷器散热支撑板的承载平面穿过面板金属片的内部向管帽方向延伸并置于管帽内。

3.根据权利要求1所述的一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构，其特征在于：所述多层高频陶瓷电路基板由多层氧化铝高温共烧陶瓷制得。

4.根据权利要求2所述的一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构，其特征在于：所述多层高频陶瓷电路基板在几何组态上不直接接触面板金属片。

5.根据权利要求1所述的一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构，其特征在于：所述多层高频陶瓷电路基板中的高频信号电路布线采用微带线、带状线和共面波导线中一种或多种；电源和信号的布线通过金属化过孔分层隔离进行走线。

6.根据权利要求1所述的一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构，其特征在于：所述多层高频陶瓷电路基板除开前端电信号输出/入口部分外其余部分的底面钎焊在散热基座上。

7.根据权利要求1所述的一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构，其特征在于：所述多层高频陶瓷电路基板还包括后端尾部电信号输入/出口部分，该后端尾部电信号输入/出口部分的底面钎焊在散热基座上。

8.根据权利要求1、2或7任意一项所述的一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构，其特征在于：所述电信号输入/出口包括高频输入/出口、电源输入/出口和热敏电阻信号输入/出口。

9.根据权利要求7所述的一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构，其特征在于：所述后端尾部电信号输入/出口部分为FeedThru结构。

10.一种封装半导体激光二极管结构，其特征在于：包括如权利要求1至9任意一项所述的一种可制冷高速半导体激光二极管的封装结构、半导体激光二极管热沉和制冷器及其组态；所述制冷器贴装在封装结构的制冷器散热支撑板上，所述半导体激光二极管载装在热沉上，所述热沉贴装在制冷器上，该热沉上的高频走线和与热沉相邻的多层高频陶瓷电路基板的前端电信号输出/入口上的高频走线处于同一水平面上，所述半导体激光二极管的发光点位于封装结构的中心线上。