[发明专利]一种基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂及其制备方法

权利要求书

1.一种基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂，其特征在于：由供硼剂B₄C、硼势缓冲剂Ni粉、电场电流稳定剂活性炭、活化剂KBF₄和填充剂α-Al₂O₃组成。

2.根据权利要求1所述基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂，其特征在于：

所述B₄C含量为8～12wt.％；

KBF₄含量为8～15wt.％

Ni粉的含量为1.5～2.0wt.％

活性炭含量为1.5～2.0wt％

其余为α-Al₂O₃粉末。

3.根据权利要求2所述基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂，其特征在于：

所述α-Al₂O₃为市售99.9wt.％刚玉粉，并经1200℃灼烧处理120min，以消除粉末中残存的少量亚稳相。

4.根据权利要求3所述基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂，其特征在于：

所述B₄C粒径为100～150μm；

α-Al₂O₃粒径为100～150μm；

Ni粉粒径为100～150μm。

5.一种采用权利要求1-4中任一项所述渗硼剂，在纯镍基体上通过电场辅助低温制备致密渗硼层的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)用纯镍板制作渗硼罐中的上、下电极盖；

(2)在纯镍上低温制备致密渗硼层工艺参数为；渗硼温度在650～800℃，渗硼时间为2～6h；

(3)在纯镍上获得致密渗硼层工艺的电场参数为：交流电场频率在100～300Hz。

6.根据权利要求5所述在纯镍基体上通过电场辅助低温制备致密渗硼层的方法，其特征在于：步骤(3)中所述交流电场频率取值200Hz；电场强度在20～35V/cm范围。

7.权利要求6所述在纯镍基体上通过电场辅助低温制备致密渗硼层的方法，其特征在于所述渗硼温度和渗硼时间的关系为：渗硼温度取下限值时，交流电场频率取最优值200Hz，电场强度取下限值20V/cm；渗硼温度取上限值时，电场交流频率取下限值，电场强度取上限值35V/cm。