[发明专利]顶发射式半导体发光器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

包括在n型区与p型区之间的发光层的半导体结构；

附连到半导体结构的生长衬底；以及

布置在生长衬底的与附连到半导体结构的生长衬底的表面相对的表面之上的波长转换层；

布置在生长衬底的侧壁、波长转换层的侧壁以及半导体结构的侧壁上的反射层，使得反射层的顶表面与波长转换层的顶表面共面。

2.权利要求1的器件，其中波长转换层与半导体结构分离地形成并且附连到生长衬底。

3.一种方法，包括：

在生长衬底上形成多个半导体发光器件；

将所述多个半导体发光器件附连到载体；

移除半导体发光器件之间的生长衬底的第一部分而同时生长衬底的多个第二部分保留在半导体发光器件上；

在半导体发光器件和生长衬底的第二部分之间的区域中布置反射材料，使得反射层的顶表面与生长衬底的顶表面共面；

通过切割反射材料来使两个相邻的半导体发光器件分离，使得每一个半导体发光器件包括其上生长半导体发光器件的半导体部分的生长衬底的第二部分之一；以及

移除载体。

4.权利要求3的方法，其中将多个半导体发光器件附连到载体包括将多个半导体发光器件形成于其上的生长衬底晶片附连到载体，方法还包括在半导体发光器件之间的区域中的生长衬底晶片中形成槽，其中在半导体发光器件之间的区域中布置反射材料包括在槽中布置反射材料。

5.权利要求3的方法，还包括在半导体发光器件之间的区域中布置反射材料之前，将波长转换构件附连到多个半导体发光器件中的每一个，其中波长转换构件与半导体发光器件分离地形成。

6.权利要求3的方法，还包括在半导体发光器件之间的区域中布置反射材料之后，在多个半导体发光器件之上形成波长转换层。

7.权利要求3的方法，其中将多个半导体发光器件附连到载体包括将多个波长转换构件附连到载体；以及将半导体发光器件附连到每一个波长转换构件。

8.权利要求3的方法，还包括在将多个半导体发光器件附连到载体之前，在多个半导体发光器件中的每一个上布置波长转换层。

9.权利要求3的方法，其中在半导体发光器件之前的区域中布置反射材料包括：

在半导体发光器件的第一表面上形成掩模层；

在多个半导体发光器件的侧壁和掩模层之上形成反射层；以及

移除掩模层；

方法还包括在移除掩模层之后，在半导体发光器件的第一表面之上形成波长转换层。

10.权利要求1的方法，其中生长衬底具有小于150微米的厚度。

11.权利要求1的方法，其中生长衬底具有成角侧壁。