[发明专利]谐振器电路

说明书

本发明涉及一种谐振器电路(100)，所述谐振器电路(100)包括变压器(101)，所述变压器包括初级绕组(103)和次级绕组(105)，其中所述初级绕组(103)以电感方式与所述次级绕组(105)耦合，初级电容器(107)连接到所述初级绕组(103)，所述初级电容器(107)和所述初级绕组(103)形成初级电路，且次级电容器(109)连接到所述次级绕组(105)，所述次级电容器(109)和所述次级绕组(105)形成次级电路，其中所述谐振器电路(100)具有在所述初级电路在共模中受激励时的共模谐振频率，其中所述谐振器电路(100)具有在所述初级电路在差模中受激励时的差模谐振频率，且其中所述共模谐振频率不同于所述差模谐振频率。

技术领域

本发明涉及射频(radio frequency，RF)谐振器电路的领域。

背景技术

还表示为槽电路的谐振器电路广泛用作多种射频组件中的频率选择性元件，例如滤波器、放大器以及振荡器。通常，谐振器电路包括电感器和电容器，其中所述电感器和电容器连接以在特定谐振频率下谐振。谐振器电路的质量由此表征为质量因数。谐振器电路的特性在射频振荡器的设计中受到主要关注，尤其是在所述射频振荡器实施为半导体衬底上的射频集成电路(radio frequency integrated circuit，RFIC)时。具体来说，谐振器电路关于泄漏电流或在谐波频率下的电流的响应可对射频振荡器的频率稳定性和相位噪声性能具有主要影响。

普通谐振器电路在谐振频率下受激励时呈现电阻特性，而在高于谐振频率的频率下受激励时呈现电容特性。因此，高阶电流分量结合Groszkowski效应可导致射频振荡器的频率稳定性降低和闪烁噪声上变频增加，即减少的近载波相位噪声性能。

为了改进射频振荡器的相位噪声性能，应用噪声滤波技术。这些技术依赖于在例如核心晶体管等的晶体管的共同源极中插入具有处于2ω₀的谐振频率的另一谐振器电路。然而，这些技术会使用额外可调电感器并增加半导体衬底上的裸片面积。

为了减少高阶漏极电流谐波的量，添加与晶体管的源极串联的电阻器以用于线性化晶体管的操作。然而，通常会减少射频振荡器启动改正力。

通过添加与晶体管的漏极串联的电阻器，电阻结合寄生漏极电容可在环路增益中引入延迟，延迟用于使射频振荡器的脉冲敏感函数(impulse sensitivity function，ISF)和电流波形两者偏移。通过具体地定制分量值来减少闪烁噪声上变频。然而，20dB/decade区域中的相位噪声性能尤其在低电源电压和高电流消耗下降级。

在J.格罗斯科夫斯基(J.Groszkowski)的“频率变化和谐波含量的互相依赖性，以及恒定频率振荡器的问题(The interdependence of frequency variation andharmonic content,and the problem of constant-frequency oscillators)”(无线电工程师协会会刊(Proc.IRE)，第21卷第7期第958至981页，1934年7月)中研究了Groszkowski效应。

在M.巴比(M.Babaie)和R.B.史塔兹丝克(R.B.Staszewski)的“F类CMOS振荡器(Aclass-F CMOS oscillator)”(电子和电子工程师协会固态电路期刊(IEEE JSSC)，第48卷第12期第3120至3133页，2013年12月)中描述了谐振器电路和射频振荡器。

发明内容

本发明的目标是提供一种高效谐振器电路。

此目标通过独立权利要求的特征实现。另外的实施形式根据从属权利要求、说明书以及图式是显而易见的。