[发明专利]一种沉积薄膜的方法及其应用、形成半导体有源区的方法在审
| 申请号： | 202010280439.X | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111564365A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;熊文娟;蒋浩杰;李亭亭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 薄膜 方法 及其 应用 形成 半导体 有源 | ||
1.一种沉积薄膜的方法，其特征在于，包括下列步骤：
在载体表面上沉积籽晶层，然后除杂，再沉积膜；
其中，所述除杂采用氢气气氛下退火处理或远程氢等离子体表面处理。
2.根据权利要求1所述的沉积薄膜的方法，其特征在于，所述薄膜的厚度为以下。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述籽晶层采用的前驱体采用以下中的至少一种：二异丙基氨基硅烷、双(二乙基胺基)硅烷。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积膜采用的前驱体为硅烷、乙硅烷、丙硅烷、丁硅烷中的至少一种。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述氢气气氛下退火处理的工艺条件为：保温温度400～600℃，压力0.1～200torr，保温时间≤30min。
6.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述远程氢等离子体表面处理时，脉冲或连续性供给等离子体。
7.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述除杂在原位处理。
8.权利要求1-7任一项所述的方法在制备集成电路装置或半导体器件中的应用。
9.一种形成有源区的方法，其特征在于，包括：
在模块工艺中形成有源区与场区，
其中，形成所述场区的沟槽轮廓时采用权利1-7任一项所述的方法形成非晶硅膜；
所述形成非晶硅膜为形成单元栅的前阶段。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
