[发明专利]电容器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其包括以下工艺步骤：

提供半导体基底，所述半导体基底上有牺牲模层；

在所述牺牲模层上形成第一凹槽；

在所述第一凹槽中形成底电极层；

采用干式剥离的刻蚀工艺去除剩余的所述牺牲模层；

采用干法清洗对去除所述牺牲模层后露出的底电极层表面进行清洗。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

还包括，在形成第一凹槽前，在所述牺牲模层上形成支撑层。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：

所述牺牲模层和所述支撑层交替形成两次以上。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于：

所述支撑层由两个以上的子层组成；进一步的，所述两个以上的子层包含不同的成分。

5.如权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：

所述牺牲模层为具有CH_xO_yN_z的通式结构的有机物，其中x、y和z≥0；进一步的，所述有机物包含旋涂硬掩模组合物、旋涂碳组合物、非晶碳层组合物中的任意一种或两种以上的组合。

6.如权利要求2-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：

所述支撑层包含氧化物和氮化物中的任意一种或两种以上的组合；进一步的，所述氧化物包含SiO₂，所述氮化物包含SiON、SiN、SiCN、BN_x中的任意一种或两种以上的组合；进一步的，所述支撑层由两层以上的子层组成，且每个所述子层具有不同的成分组成。

7.如权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：

所述干式剥离，是实施各向异性刻蚀，具体是在氧基气体或氢基气体与含氮气体的混合气氛下，生成含有离子和/或自由基的等离子体或者发生气体化学反应，以去除剩余的所述牺牲模层；进一步的，所述氧基气体包含O₂、CO₂中的任意一种或两种以上的组合，所述氢基气体包含H₂,NH₃中的任意一种或两种以上的组合，所述含氮气体包含N₂、NH₃中的任意一种或两种以上的组合。

8.如权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：

所述干法清洗，是在氟基气体的气氛下，通过等离子或非等离子的化学反应，以去除底电极表面的残留物和/或杂质；进一步的所述氟基气体含有HF、NH₄F中的任意一种或两种以上的组合。

9.如权利要求1-4任意一项所述的制造方法，其特征在于：

在所述牺牲模层上形成第一凹槽，具体是，对所述牺牲模层进行干法刻蚀，以形成第一凹槽；进一步的，所述干法刻蚀是采用含有保护气体的氧基气体或氢基气体的混合气体进行干法刻蚀；进一步的，所述氧基气体包含O₂、CO₂中的任意一种或两种以上的组合，所述氢基气体包含H₂,NH₃中的任意一种或两种以上的组合，所述保护气体包含不活性气体和惰性气体中的任意一种或两种以上的组合，其中，不活性气体包含含有C和/或和/或N元素的气体，例如COS、SO₂、N₂、C_xH_y(x和y＞0)中的任意一种或两种以上的组合，惰性气体包含Ar,He,N中的任意一种或两种以上的组合。

10.一种半导体器件，其由权利要求1-9任意一项所述的制造方法制造得到。

11.一种电子设备，包括如权利要求10所述的半导体器件。

12.根据权利要求11所述的电子设备，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。