[发明专利]天线结构及具有该天线结构的电子设备在审
申请号: | 202010280641.2 | 申请日: | 2020-04-10 |
公开(公告)号: | CN113517556A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 许倬纲;贺敏慧 | 申请(专利权)人: | 深圳富泰宏精密工业有限公司;群迈通讯股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/52 | 分类号: | H01Q1/52;H01Q1/50;H01Q1/24 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 李艳霞 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙华新区龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 天线 结构 具有 电子设备 | ||
1.一种电子设备的天线结构,其特征在于,所述天线结构包括框体、第一馈入点、第一切换点及第二切换点,所述框体至少部分由金属材料制成,所述框体上开设有第一缝隙及第二缝隙,所述第一缝隙与所述第二缝隙之间的所述框体形成一第一辐射部,所述第一馈入点设置于所述第一辐射部上,且电连接至一第一馈电点,以为所述第一辐射部馈入电流信号,所述第一切换点及所述第二切换点分别设置于所述框体并相邻于所述第一缝隙的两端,且分别通过相应的切换电路接地。
2.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于:所述框体上还开设有第三缝隙,所述第三缝隙比所述第二缝隙更靠近所述第一缝隙,所述第一缝隙与所述第三缝隙之间的框体形成一第二辐射部,所述天线结构还包括第二馈入点,所述第二馈入点设置于所述第二辐射部上,且电连接至一第二馈电点,以为所述第二辐射部馈入电流信号,所述第一辐射部的电长度大于所述第二辐射部的电长度,所述第一馈入点与所述第一缝隙之间的所述框体的电长度大于所述第一馈入点与所述第二缝隙之间的所述框体的电长度,所述第二馈入点与所述第一缝隙之间的所述框体的电长度大于所述第二馈入点与所述第三缝隙之间的所述框体的电长度。
3.如权利要求2所述的天线结构,其特征在于:所述第二切换点设置于所述第二辐射部上,且位于所述框体靠近所述第一缝隙的另一端部,所述第二切换点还通过一第二切换电路接地,所述第二切换电路的电路结构与所述第一切换电路的电路结构相同。
4.如权利要求2所述的天线结构,其特征在于:所述电子设备还包括系统接地面,所述系统接地面的两侧分别开设第一狭缝及第二狭缝,所述第一狭缝与所述第二狭缝平行设置,且分别贯通所述第二缝隙及第三缝隙。
5.如权利要求4所述的天线结构,其特征在于:所述天线结构还包括第一接地点及第二接地点,所述第一接地点设置于所述框体对应所述第一狭缝的部分,且跨过所述第一狭缝并接地,所述第二接地点设置于所述框体对应所述第二狭缝的部分,且跨过所述第二狭缝并接地。
6.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于:所述框体为所述电子设备的金属边框,或者
所述框体设置于所述电子设备的机壳内,且通过模内注塑的方式和所述机壳做成整体。
7.如权利要求2所述的天线结构,其特征在于:当电流自所述第一馈入点馈入时,所述第一辐射部激发LTE-A低、中、高频模态,当电流自所述第二馈入点馈入时,所述第二辐射部激发LTE-A中频模态、超中频模态、LTE-A高频模态。
8.如权利要求5所述的天线结构,其特征在于:当电流自所述第一馈入点馈入时,所述电流通过所述第二缝隙耦合至所述第一狭缝,所述第一狭缝产生耦合共振,以调整所述第一辐射部的频率;当电流自所述第二馈入点馈入时,所述电流通过所述第三缝隙耦合至所述第二狭缝,所述第二狭缝产生耦合共振,以调整所述第二辐射部的频率。
9.一种电子设备,其特征在于:所述电子设备包括如权利要求1-8中任一项所述的天线结构。
10.如权利要求9所述的电子设备,其特征在于:所述电子设备还包括背板,所述框体设置于所述背板的边缘,所述背板靠近所述框体的边缘还设置有开槽,所述第一缝隙及第二缝隙与所述开槽连通。
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