[发明专利]一种具有层叠结构的多栅指数晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010281186.8 申请日: 2020-04-11
公开(公告)号: CN111613676B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 马顺利;吴天祥;任俊彦 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/10;H01L29/24;H01L29/423;H01L21/34
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;陆尤
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 层叠 结构 指数 晶体管 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有层叠结构的多栅指数晶体管的制备方法,其特征在于,该多栅指数晶体管依次以漏极、沟道、源极、沟道循环层叠构成,所有的沟道宽度均大于源漏宽度,在沟道右侧未被源漏覆盖的最右侧区域,分别形成栅氧化层和栅极,并且所有的栅极通过栅极金属相连接,以此形成统一的栅极;所述沟道以二维材料制备,多沟道受到统一栅极的调控,各层晶体管的栅极通过统一的栅极金属相连,具有较小的沟道长度,以及相对较大的沟道面积;

具体步骤为:

(1)制备单栅指数晶体管,其沟道受到右侧栅极的调控;即在源漏之间有一个以二维材料所制备的沟道,其沟道长度较小,沟道宽度大于源和漏的宽度,在沟道右侧上方形成栅氧化层和栅极;源极、漏极和栅极材料为金属;

(2)制备单栅指数环栅结构晶体管,即在上述单栅指数晶体管的基础上,制备环栅结构;即在沟道右侧的三个方向:上方、下方以及右方形成栅氧化层和栅极,以提高栅控能力;

(3)制备单栅指数双沟道晶体管,采用两层堆叠结构,从上至下依次是漏极、沟道、源极、沟道和漏极,该结构共有两个沟道;其沟道长度较小,沟道宽度大于源漏宽度,在两个沟道右侧中间区域从上至下依次形成栅氧化层、栅极和栅氧化层,其两个沟道受到同一个栅极的控制;

(4)制备具有层叠结构的多栅指数晶体管,即形成多指结构,所述多指即为多个沟道,并且多沟道受到统一栅极的控制。

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