[发明专利]一种碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法

权利要求书

1.一种碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的碱腐蚀溶液在所述的晶体硅片的其中一个表面上生成一层碱腐蚀溶液膜，所述的碱腐蚀溶液膜厚度小于5毫米；通过加热所述的晶体硅片，或者加热所述的碱腐蚀溶液膜，或者同时加热所述的晶体硅片和所述的碱腐蚀溶液膜，使所述的晶体硅片和所述的碱腐蚀溶液膜同时达到所设计的反应温度，并保持所述的反应温度直至所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的所设计的腐蚀反应结束。

2.根据权利要求1所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，在所述的晶体硅片的其中一个表面上生成一层所述的碱腐蚀溶液膜之前，先单独预热所述的晶体硅片，或者先单独预热所述的碱腐蚀溶液，或者先分别预热所述的碱腐蚀溶液和所述的晶体硅片。

3.根据权利要求1所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，在所述的晶体硅片的其中一个表面上生成一层碱腐蚀溶液膜之后，通过加热所述的体硅片，或者通过加热所述的碱腐蚀溶液膜，或者通过同时加热所述的晶体硅片和所述的碱腐蚀溶液膜后，使所述的晶体硅片和所述的碱腐蚀溶液膜同时达到所设计的反应温度，并保持所述的反应温度直至所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的腐蚀反应结束。

4.根据权利要求3所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的加热晶体硅片是通过预先被加热的所述的碱腐蚀溶液加热所述的晶体硅片。

5.根据权利要求3所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的加热碱腐蚀溶液膜是通过预先被加热的所述的晶体硅片加热所述的碱腐蚀溶液膜。

6.根据权利要求1所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的所设计的反应温度在40~110度之间。

7.根据权利要求1所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的反应是抛光所述的晶体硅片表面的腐蚀反应，或者是在所述的晶体硅片表面制绒的腐蚀反应，或者是清洗所述的晶体硅表面腐蚀反应。

8.根据权利要求1所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的碱腐蚀溶液中含有各种添加剂，或者在所述的被腐蚀的晶体硅片表面上有各种添加剂。

9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的碱腐蚀溶液是氢氧化钠，或者氢氧化钾，或者TMAH。

10.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的加热是接触式加热方法，或者是非接触式加热方法，或者同时使用接触式加热和非接触式加热。

11.根据权利要求10所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的非接触式加热方法是超声波加热方法，或者是红外加热方法，或者是电磁感应加热方法，或者是与热气体接触后的对流传热方法，或者是热辐射加热方法。

12.根据权利要求10所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的接触式加热是与其它固体物理接触后通过热传导加热的方法。

13.根据权利要求1至8以及11和12中任一权利要求所述的腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的晶体硅片被水平静态放置在支撑平台，或者被水平移动。

14.根据权利要求13所述的碱腐蚀溶液腐蚀晶体硅片其中一个表面的方法，其特征在于，所述的碱腐蚀溶液膜是在所述的晶体硅片的上表面。