[发明专利]WO3

权利要求书

1.一种WO₃纳米片的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤，

1)在碳原子数为6-10的有机烷烃溶剂存在下，使碳原子数为7-10的有机胺和钨酸进行第一接触反应，得到第一接触反应后的产物；

2)使步骤1)得到的第一接触反应后的产物与无机酸进行第二接触反应，得到H₂WO₄纳米片；

3)将所述H₂WO₄纳米片进行煅烧，得到WO₃纳米片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，钨酸、所述有机溶剂与所述有机胺的重量比为1：20-100：1-20。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碳原子数为6-10的有机烷烃溶剂为己烷、庚烷、辛烷、壬烷和癸烷中的一种或多种。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其中，所述碳原子数为7-10的有机胺为正庚胺、正辛胺、正壬胺和正癸胺中的一种或多种。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其中，所述第一接触反应包括使碳原子数为6-10的有机烷烃溶剂、碳原子数为7-10的有机胺和钨酸混合后静置。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述静置的条件包括：温度为10-50℃，时间为20小时以上。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述静置的条件包括：温度为20-40℃，时间为22-100小时。

8.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其中，所述第一接触反应后的产物与所述无机酸的重量比为1：10-100。

9.根据权利要求1-3和8中任意一项所述的方法，其中，所述无机酸为硝酸、硫酸和盐酸中的一种或多种。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述无机酸以溶液形式使用，所述溶液中的无机酸的含量为5-50重量％。

11.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其中，所述第二接触反应的条件包括：温度为10-50℃，时间为20小时以上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二接触反应的条件包括：温度为20-40℃，时间为22-100小时。

13.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其中，所述煅烧的条件包括：煅烧温度为200-600℃，煅烧时间为0.5-6小时。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述煅烧的条件包括：煅烧温度为300-550℃，煅烧时间为1-5小时。

15.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其中，所述WO₃纳米片厚度为1-30nm。

16.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其中，以湿度20％时对被测气体的响应值为A，以湿度95％时对被测气体的响应值为B时，响应值从A到B的变化率为8％以下。

17.权利要求1-16中任意一项所述的WO₃纳米片的制备方法制备得到的WO₃纳米片。

18.一种气敏传感器，其特征在于，该气敏传感器包括芯片载体以及负载在所述芯片载体上的纳米材料，所述纳米材料通过权利要求1-16中任意一项所述的WO₃纳米片的制备方法制备得到。

19.根据权利要求18所述的气敏传感器，其中，所述芯片载体为陶瓷管和/或MEMS芯片。