[发明专利]一种显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种显示面板，包括基板(1)、像素阵列区(2)和信号控制电路芯片(3)，其特征在于：

所述信号控制电路芯片(3)为碳基CMOS信号控制芯片，所述信号控制电路芯片(3)和所述像素阵列区(2)之间无引线贴合，并与所述像素阵列区(2)一体化集成在所述基板(1)上，所述信号控制电路芯片(3)位于像素阵列区(2)下层；所述信号控制电路芯片(3)由采用碳纳米材料为沟道材料的p-型晶体管(302)和n-型晶体管(303)连接组成；所述p-型晶体管(302)由高功函数的金属与所述碳纳米材料接触制成，所述的高功函数金属选自Pd、Pt、Ni、Au；所述n-型晶体管(303)由低功函数的金属与所述碳纳米材料接触制成，所述的低功函数金属选自Sc、Al。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述碳纳米材料包括碳纳米管、碳纳米线、石墨烯、富勒烯、碳纳米纤维或碳纳米球。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于：所述碳纳米管包括单壁或多壁碳纳米管。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：像素阵列区(2)在信号控制电路芯片(3)所在平面的投影位于被该信号控制电路芯片(3)包围的中间位置。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述像素阵列区(2)由显示驱动TFT阵列和像素阵列组成，所述显示驱动TFT选自非晶硅TFT、低温多晶硅TFT、氧化物半导体TFT以及碳纳米管TFT；所述像素阵列选自OLED、液晶以及micro-LED。

6.一种制作如权利要求1-5任一所述的显示面板的方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤A：在基板(1)上制备碳纳米材料薄膜(301)；

步骤B：采用光刻工艺将所述碳纳米材料薄膜(301)图形化；进一步在所述碳纳米材料薄膜(301)上制备p-型晶体管(302)和n-型晶体管(303)；连接所述p-型晶体管(302)和所述n-型晶体管(303)形成碳基CMOS信号控制电路芯片(3)；

步骤C：在所述信号控制电路芯片(3)表面生长绝缘层(304)，对信号控制电路芯片(3)进行保护；

步骤D：在所述绝缘层(304)表面中央区域制备包含显示驱动TFT阵列、像素阵列的像素阵列区(2)，完成显示面板的制备。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤A中所述碳纳米材料薄膜(301)包括碳纳米管、碳纳米线、石墨烯、富勒烯、碳纳米纤维或碳纳米球。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述碳纳米管包括单壁或多壁碳纳米管。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述碳纳米材料薄膜(301)通过电弧放电法、激光烧蚀法、化学气相沉积法、固相热解法、辉光放电法、气体燃烧法或聚合反应合成法制成，并通过碳纳米材料溶液喷涂、浸涂、转移形成。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤B、步骤C中所述信号控制电路芯片(3)形成于像素阵列区(2)的周边，从而使得像素阵列区(2)在信号控制电路芯片(3)所在平面的投影位于被该信号控制电路芯片(3)包围的中间位置。