[发明专利]高压超结衬底的制备方法

权利要求书

1.一种高压超结衬底的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：

步骤1、提供具有第一导电类型的基础衬底(1)，并在所述基础衬底(1)上外延得到衬底耐压辅助层(2)，所述衬底耐压辅助层(2)的导电类型与基础衬底(1)的导电类型相一致；

步骤2、对上述衬底耐压辅助层(2)进行沟槽刻蚀，以得到位于所述衬底耐压辅助层(2)内的衬底辅助层沟槽(3)；

步骤3、在上述衬底耐压辅助层(2)上外延第二导电类型材料，以得到填满所述衬底辅助层沟槽(3)内的辅助层沟槽填充体(4)；

步骤4、在上述衬底耐压辅助层(2)的上方进行所需的外延工艺，以得到超结耐压层(5)，所述超结耐压层(5)的导电类型与衬底耐压辅助层(2)的导电类型相一致，且超结耐压层(5)的掺杂浓度与衬底耐压辅助层(2)的掺杂浓度相同；

步骤5、对上述超结耐压层(5)进行沟槽刻蚀，以得到贯通所述超结耐压层(5)的耐压辅助通孔(6)，所述耐压辅助通孔(6)位于与相应衬底辅助层沟槽(3)的正上方；

步骤6、在上述超结耐压层(5)上外延第二导电类型材料，以得到填满耐压辅助通孔(6)的辅助通孔填充体(7)，所述辅助通孔填充体(7)位于辅助层沟槽填充体(4)的正上方，且辅助通孔填充体(7)与辅助层沟槽填充体(4)电连接；

步骤7、重复上述步骤4～步骤6，以在基础衬底(1)上方制备所需数量的超结耐压层(5)以及填充在相应超结耐压层(5)内的辅助通孔填充体(7)，基础衬底(1)与衬底耐压辅助层(2)以及所有的超结耐压层(5)间形成所需的超结衬底，超结衬底内电连接的辅助层沟槽填充体(4)与辅助通孔填充体(7)间能形成第二导电类型柱；多个第二导电类型柱在所述超结衬底内形成N柱与P柱交替分布的超结结构。

2.根据权利要求1所述的高压超结衬底的制备方法，其特征是：所述基础衬底(1)包括硅衬底，所述基础衬底(1)的厚度为500μm～700μm，电阻率为0.002Ω*cm-0.005Ω*cm。

3.根据权利要求1所述的高压超结衬底的制备方法，其特征是：所述超结耐压层(5)的厚度为20μm～40μm，刻蚀得到耐压辅助通孔(6)的光刻版与刻蚀得到衬底辅助层沟槽(3)的光刻版为同一光刻版，所述耐压辅助通孔(6)的宽度与衬底辅助层沟槽(3)的宽度相一致。

4.根据权利要求1所述的高压超结衬底的制备方法，其特征是：衬底辅助层沟槽(3)的深度小于衬底耐压辅助层(2)的厚度；在得到辅助层沟槽填充体(4)时，对衬底耐压辅助层(2)的表面进行平坦化工艺，以去除衬底耐压辅助层(2)表面上的第二导电类型材料。