[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有MOS晶体管、寄生晶体管、寄生二极管以及pn结二极管，

该MOS晶体管具有：

第一导电型的第一半导体层；

第一导电型的第二半导体层，其设置于所述第一半导体层的第一主面之上，第一导电型的杂质浓度比所述第一半导体层低；

第二导电型的第一杂质区域，其设置于所述第二半导体层的上层部；

第一导电型的第二杂质区域，其设置于所述第一杂质区域的上层部；

栅极电极，其设置为至少与所述第一杂质区域和所述第二半导体层以将栅极绝缘膜夹在中间的方式相对；

第一主电极，其设置为至少一部分与所述第二杂质区域连接，该第一主电极与所述第一杂质区域不直接接触；以及

第二主电极，其连接于所述第一半导体层的与设置有所述第一主电极的一侧相反侧的第二主面，

该寄生晶体管构成为，将所述第二杂质区域作为集电极，将所述第一半导体层及所述第二半导体层作为发射极，将所述第一杂质区域作为基极，

该寄生二极管构成为，将所述第一杂质区域作为阳极，将所述第一半导体层及所述第二半导体层作为阴极，

该pn结二极管构成为，将所述第一杂质区域作为阳极，将所述第二杂质区域作为阴极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述寄生晶体管的集电极电流相对于发射极电流的比例小于或等于1/1000，

所述pn结二极管的结耐压大于或等于使所述MOS晶体管接通的栅极电压的阈值。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一主电极设置为具有经由电阻而与所述第一杂质区域连接的连接部。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

就所述第一主电极的所述连接部而言，

所述第一主电极与所述第一杂质区域直接接触，

所述电阻由接触电阻构成。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具有MOS电容，该MOS电容设置于所述第一主电极与所述第一杂质区域之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第二杂质区域具有：

第一区域，其与所述第一主电极连接；以及

第二区域，其是与所述第一区域分离地设置的，

该半导体装置还具有短路电极，该短路电极设置于所述第二区域之上及所述第一杂质区域之上，将所述第二区域和所述第一杂质区域短路。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述栅极电极还以将所述栅极绝缘膜夹在中间的方式设置在所述第一区域及第二区域的端缘部之间。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述栅极电极以将所述栅极绝缘膜夹在中间的方式设置在以与所述第一杂质区域及第二杂质区域的侧面接触，到达超过所述第一杂质区域的底面的深度的方式设置于所述第二半导体层的沟槽内。