[发明专利]金刚石-碳化硅复合材料及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种金刚石-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将金刚石、分散剂、聚碳硅烷、塑化剂和溶剂混合，制备流延浆料；

对所述流延浆料进行流延成型处理，制备生坯；

对所述生坯进行热压烧结处理。

2.根据权利要求1所述的金刚石-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于，将所述金刚石、分散剂、聚碳硅烷、塑化剂和溶剂按照40～60:1～5:5～10:5～10:30～35的重量比混合。

3.根据权利要求2所述的金刚石-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于，所述分散剂为磷酸三乙酯、蓖麻油中的至少一种；及/或，所述溶剂为异丙醇与甲苯的共沸液、乙醇与乙酸乙酯的共沸液、乙醇与甲乙酮的共沸液、三氯乙烯与甲乙酮的共沸液中的至少一种；及/或，所述塑化剂为邻苯二甲酸二辛酯。

4.根据权利要求1所述的金刚石-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于，在制备所述流延浆料时还包括加入硅粉的步骤，所述硅粉与聚碳硅烷的重量比为0.01～0.1:1。

5.根据权利要求1～4任一项所述的金刚石-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于，对所述流延浆料进行流延成型处理的步骤包括：对所述流延浆料进行真空脱泡处理，再对脱泡后的浆料进行流延成型；及/或，流延成型后的所述生坯的厚度为0.3mm～0.5mm。

6.根据权利要求1～4任一项所述的金刚石-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于，对所述生坯进行热压烧结处理步骤之前还包括步骤：将流延成型后生坯切割，并将切割后的生坯逐层叠加至厚度为0.5mm～1mm。

7.根据权利要求1～4任一项所述的金刚石-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于，所述热压烧结的方法为：在保护气体中，将所述生坯在900℃～1200℃下保温1h～2h，再升温至1400℃～1600℃保温1h～2h。

8.根据权利要求7所述的金刚石-碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于，在1400℃～1600℃下进行热压烧结时的压力为10MPa～40MPa。

9.一种金刚石-碳化硅复合材料，其特征在于，所述金刚石-碳化硅复合材料的密度为2.98g/cm³～3.3g/cm³，致密度大于95％。

10.一种电子设备，其特征在于，包括设备主体以及对所述设备主体进行封装的封装材料，所述封装材料如权利要求9所述的金刚石-碳化硅复合材料。