[发明专利]一种用于LED氧化铝基片的导电银浆及其制备方法有效
申请号: | 202010285023.7 | 申请日: | 2020-04-13 |
公开(公告)号: | CN111341485B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 刘宵;杨华荣;严红革;王翔;肖新明;闫仁泉;陈吉华 | 申请(专利权)人: | 湖南省国银新材料有限公司 |
主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;H01B13/00;C03C8/24 |
代理公司: | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人: | 董惠文 |
地址: | 410000 湖南省长沙市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 led 氧化铝 导电 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种用于LED氧化铝基片导电银浆及其制备方法,该浆料适用于LED氧化铝基片导电银浆领域。其浆料组成及其重量百分数为:银粉75‑85%,玻璃粉1‑3%,其他为有机载体。用于LED氧化铝基片导电银浆分散性好,适合长时间印刷,烘干烧结后银层表面致密无缺陷,不易出现凹坑和小包,整体看上去亮白平整,银面均一没有杂色。银浆可焊性和耐焊性非常优异,能通过严苛的可靠性测试,在LED氧化铝基片上总体性能表现非常优异。制备方法相对其他银浆要简单,不需要进行常规的三辊轧机轧浆工艺,也不需要后续的过滤工艺,极大的提升了银浆的生产效率,缩短了银浆的生产时间,降低了银浆生产过程中的损耗。
技术领域
本发明属于导电银浆技术领域,具体涉及一种用于LED氧化铝基片的导电银浆及其制备方法。
背景技术
随着光电照明技术的发展,越来越多的领域使用LED技术替代传统的灯泡照明。而LED技术的兴起和市场应用也促成相关配件技术越来越成熟,相关其他配套材料的技术含量也越来越高。电子银浆料是电子工业中为浸涂和丝网漏印工艺使用的一种导电材料,是集电子、化工、冶金三位一体的高技术产品,是电子工业中的主要基础材料之一。LED氧化铝基片的导电银浆是LED灯氧化铝基座线路板的基础材料,银浆经过丝网印刷、流平、烘干、烧结等工艺,在氧化铝基片上烧结形成导电膜,做成LED的线路板。目前LED所采用的线路板多为PCB线路板,这种线路板的散热效果较差,大大地降低了LED的使用寿命,而采用氧化铝陶瓷基座印刷的线路板可以很好地解决散热问题,导电性能也非常优异,进而提高LED的使用寿命。LED氧化铝基片的导电银浆要求银浆在烧结后具有良好的电性能、高温耐焊性、高附着力,这是LED银浆开发的几个技术难点。
银属于贵金属系列,价格昂贵,但是银是导电性最高的金属,其化学性能稳定,有优良的导热导电和加工性能,因此银粉是导电浆料、导电胶、电阻网络、催化和抗菌材料的基本功能材料。银粉在颗粒尺寸低于0.5μm时按照大小可分为微米级超细银粉和纳米银粉,但是限于目前的生产工艺条件,工业上电子浆料等领域还是以超细银粉为主。制备微纳米级银粉的方法很多,有高能球磨法、等离子体蒸发冷凝法、喷雾热分解法、光诱导法、液相还原法等。其中液相化学还原法因其制备工艺简单、操作方便、粉末粒径大小易控等优点在工业生产中得到广泛应用。液相还原法制备银粉是在分散剂的保护下,用还原剂(如常用的水合肼、葡萄糖、抗坏血酸等)将银粒子还原成单质银颗粒,然后沉淀、过滤、洗涤、干燥,最后得到银粉。
随着LED的线路板逐渐向氧化铝基座线路板发展,市场对LED氧化铝基片的导电银浆的需求量会越来越大,故LED氧化铝基片的导电银浆具有良好的市场前景,对LED氧化铝基片的导电银浆的技术要求,随着市场的变化而创新。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有市场上用于LED氧化铝基片的导电银浆,烧结后形成的银层导电性能不好、表面粗糙、焊接性能不好、附着力不强等等不足,提供一种用于LED氧化铝基片的导电银浆及其制备方法,得到的用于LED氧化铝基片的导电银浆,分散性好,适合长时间印刷,烘干烧结后银层表面致密无缺陷,不易出现凹坑和小包,整体看上去亮白平整,银面均一没有杂色,且银浆可焊性和耐焊性非常优异,能通过严苛的可靠性测试,在LED氧化铝基片上总体性能表现非常优异。
一种用于LED氧化铝基片的导电银浆,由以下质量比例的组分制成:
银粉75-85%,玻璃粉1-3%,其他为有机载体;
所述的银粉是冰糖型结晶银粉,银粉的边角角度为100-150度,粒度分布数据:D10为0.3-0.4微米,D50为0.6-1.0微米,D90为1.5-1.8微米,其中振实密度范围为4.0-6.5;
所述银粉的制备方法:向温度为25℃的0.3mol/L的硝酸银溶液里面加入相当于硝酸银物质的量三万分之一的氨水后,接着加入相当于硝酸银物质的量万分之三的哌啶,再加入相当于硝酸银物质的量的1.2倍的温度为25℃的0.4mol/L的维生素C溶液,在90转/分钟的搅拌作用下,溶液温度控制在25-35℃进行还原反应,分离、干燥而成;
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