[发明专利]一种张应变可逆动态调控的MAx

权利要求书

1.一种张应变可逆动态调控的MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜的制备方法，其特征在于，采用厚度为2nm~220nm的MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜，0.6≤x≤1，对其表面施加0.5%~17%的拉伸应变量，诱导该单晶薄膜从高对称结构非铁电相向低对称结构铁电相转变，获得具有强铁电性的MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜。

2.一种张应变可逆动态调控的MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜的制备方法，其特征在于，采用厚度为2nm~220nm的(001)_c晶面的MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜，0.6≤x≤1，对其表面施加0.5%~17%的拉伸应变量，诱导该单晶薄膜从高对称结构非铁电相向低对称结构铁电相转变，获得具有强铁电性的MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，厚度为2nm~220nm的MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜首先通过溶液法制备出MA_xFA_1-xPbI₃单晶，再使用聚焦离子束法将所得单晶减薄。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，厚度为2nm~220nm的(001)_c晶面的MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜首先通过溶液法制备出(001)_c晶面的MA_xFA_1-xPbI₃单晶，再使用聚焦离子束法将所得单晶减薄。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用环氧树脂胶将MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜粘贴在聚酰亚胺柔性衬底上，固定于拉伸装置上，对其表面施加0.5%~17%的拉伸应变量。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用环氧树脂胶将MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜粘贴在聚酰亚胺柔性衬底上，其步骤如下：将MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜放置于聚二甲基硅氧烷印章上，通过旋涂法在平整干净的衬底上旋涂厚度为20±2μm的环氧树脂胶，将粘有单晶薄膜的印章对准衬底中央轻轻按下，使用紫外光照射3秒，环氧树脂胶部分固化后，拿起印章，此时单晶薄膜留在衬底上，再用紫外光照射15秒，完成固化。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，拉伸装置包括一块固定底板、两个平行设置在固定底板上的位移滑台和一个螺旋控制器，第一位移滑台固定在固定底板上，第二位移滑台可移动，其上设置螺旋控制器，两个位移滑台的初始距离为2cm，螺旋控制器最小精度为0.01mm。

8.如权利要求1或2所述方法制备的张应变可逆动态调控的MA_xFA_1-xPbI₃单晶薄膜。