[发明专利]显示面板有效
申请号: | 202010285536.8 | 申请日: | 2020-04-13 |
公开(公告)号: | CN111463201B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 罗丽莎;彭邦银;金一坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
本申请提供一种显示面板,包括静电防护电路,第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一输入电极端和第一输出电极端;第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二输入电极端和第二输出电极端,第二栅极分别与静电防护走线和第二输入电极端电连接,第二输入电极端与第一输出电极端电连接,第二输出电极端与所述第一输入电极端电连接;连接线分别与第一输入电极端和第二输出电极端电连接;第一导电膜的一端通过至少两个第一过孔与连接线电连接,第一导电膜的另一端通过至少一个第二过孔与第一栅极电连接;连接线的延伸方向与第一过孔的排列方向交叉设置。本申请将第一过孔进行非竖向排列来节省竖向的空间,降低静电防护电路发生炸伤的几率。
技术领域
本申请涉及一种显示技术,特别涉及一种显示面板。
背景技术
目前8K显示面板普遍需求极窄边框,这类产品留给ESD(Electro-staticdischarge,防静电)环设计空间较小,且像素宽度较小,又需要保持每个ESD环的横向间距,因此ESD环只能设计为上下沟道结构。
目前产品现有的ESD环的过孔设计为竖条状,这样设计使ESD环的横向宽度很小,节省空间。
然而,这种竖排孔在宽度方向的过孔数仅能设计一个,导致过孔阻抗较大,且覆盖过孔的氧化铟锡膜片的宽度较小,上下沟道结构处的栅极与栅极之间的间距也相应较小,因此当通过的电流较大时,容易引起ESD炸伤。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板,以解决现有的显示面板中的ESD环容易引起炸伤的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括多个静电防护电路,所述静电防护电路包括:
静电防护走线;
第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一输入电极端和第一输出电极端;
第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二输入电极端和第二输出电极端,所述第二栅极与所述静电防护走线电连接,所述第二输入电极端与所述第一输出电极端电连接,所述第二输出电极端与所述第一输入电极端电连接;
连接线,所述连接线分别与所述第一输入电极端和所述第二输出电极端同层设置且电连接;以及
第一导电膜,所述第一导电膜的一端通过至少两个第一过孔与所述连接线电连接,所述第一导电膜的另一端通过至少两个第二过孔与所述第一栅极电连接;
其中,所述连接线的延伸方向分别与所述第一过孔的排列方向和所述第二过孔的排列方向交叉设置。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述连接线的延伸方向分别与所述第一过孔的排列方向和/或所述第二过孔的排列方向垂直设置。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述静电防护电路还包括第二导电膜,所述第二导电膜与所述第一栅极电连接且同层设置,所述第二导电膜通过所述第二过孔与所述第一导电膜电连接,所述第一过孔和所述第二过孔于所述第二导电膜所在平面的正投影位于所述第二导电膜的尺寸范围内。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一栅极和所述第二栅极同层设置,所述第一栅极和所述第二栅极之间具有间隔距离,所述间隔距离大于15微米。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述静电防护电路还包括第三导电膜,所述第三导电膜的一端通过至少一第三过孔与所述第二输入电极端电连接,所述第三导电膜的另一端通过至少一第四过孔与所述第二栅极电连接。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一导电膜和所述第三导电膜同层设置,所述第一导电膜和所述第三导电膜的材质相同;所述连接线、所述第一输入电极端、第一输出电极端、第二输入电极端和第二输出电极端同层设置,且各自的材质相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的