[发明专利]一种微波等离子体化学气相沉积设备及其制备方法在审
| 申请号： | 202010286797.1 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111501011A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 范杰;黄翀 | 申请（专利权）人： | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/511;H01P1/16 |
| 代理公司： | 武汉智汇为专利代理事务所(普通合伙) 42235 | 代理人： | 李恭渝 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微波 等离子体 化学 沉积 设备 及其 制备 方法 | ||
1.一种微波等离子体化学气相沉积设备，其特征在于：包括微波源、波导、模式转换器、谐振腔，所述的模式转换器中的微波天线包含芯体和表层。
2.如权利要求1所述的所述的微波等离子体化学气相沉积设备，其特征在于：还包括气体系统，用于将气体导入、导出谐振腔，和/或，包括基板保持部件。
3.如权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积设备，其特征在于：所述表层为银层、TiO2层、TiN层中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积设备，其特征在于：所述表层的表面粗糙度Ra小于0.2μm。
5.如权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积设备，其特征在于：所述表层的表面粗糙度为Ra小于0.05μm。
6.如权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积设备，其特征在于：所述表层的表面粗糙度为Ra小于0.01μm。
7.如权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积设备，其特征在于：所述表层通过磁控溅射、气相沉积、电镀等方式附着到芯体表面。
8.如权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积设备，其特征在于：所述微波天线的制备包含如下步骤：
(1)加工芯体；
(2)在芯体表面附着表层；
(3)对表层进行表面处理，降低表面粗糙度。
9.如权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积设备，其特征在于：所述的表面处理后，在表面处理之后，还包括对微波天线进行高温处理。
10.如权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积设备，其特征在于：进一步地，在表面处理之后还包括对微波天线进行紫外辐照处理。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
