[发明专利]沟槽栅场效应晶体管及存储器

权利要求书

1.一种沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有栅极沟槽；

栅电极，形成在所述栅极沟槽中，所述栅电极包括第一栅极导电层和第二栅极导电层，所述第一栅极导电层填充在所述栅极沟槽的底部，所述第二栅极导电层形成在所述第一栅极导电层的上方，所述第一栅极导电层的功函数高于所述第二栅极导电层的功函数；以及，

隔离薄膜层，形成在所述第一栅极导电层和所述第二栅极导电层之间，并且所述隔离薄膜层具有弯曲部，以使所述第一栅极导电层的顶表面和所述第二栅极导电层的底表面均顺应所述弯曲部而呈现为凹凸不平的表面，其中所述隔离薄膜层的材料包括氧化硅，所述第一栅极导电层的顶表面具有V形凹陷，所述隔离薄膜层覆盖所述第一栅极导电层的V形凹陷而形成有V形弯曲部。

2.如权利要求1所述的沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述栅电极还包括第三栅极导电层，所述第三栅极导电层包覆所述第一栅极导电层的底壁和侧壁，以及所述隔离薄膜层覆盖所述第一栅极导电层和所述第三栅极导电层的顶部。

3.如权利要求2所述的沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅极导电层的顶表面相对于所述第三栅极导电层的顶表面内陷，所述隔离薄膜层中覆盖所述第一栅极导电层的部分构成第一部分，所述隔离薄膜层中覆盖所述第三栅极导电层的部分构成第二部分，以及所述隔离薄膜层中的所述第一部分相对于所述第二部分内陷至所述第一栅极导电层中。

4.如权利要求2所述的沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅极导电层的顶表面相对于所述第三栅极导电层的顶表面突出，所述隔离薄膜层中覆盖所述第一栅极导电层的部分构成第一部分，所述隔离薄膜层中覆盖所述第三栅极导电层的部分构成第二部分，以及所述隔离薄膜层中的所述第一部分相对于所述第二部分向上突出至所述第二栅极导电层中。

5.如权利要求2所述的沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述隔离薄膜层的厚度小于所述第三栅极导电层的厚度。

6.如权利要求1所述的沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅极导电层的电阻低于所述第二栅极导电层的电阻。

7.如权利要求1所述的沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述栅电极部分填充所述栅极沟槽，以及在所述栅极沟槽高于所述栅电极的上方空间中还形成有绝缘层，所述绝缘层覆盖所述栅电极的顶表面和所述栅极沟槽的上方空间的侧壁，并且所述绝缘层中覆盖所述栅电极的厚度大于所述绝缘层中覆盖所述栅极沟槽侧壁的厚度。

8.如权利要求1所述的沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，所述沟槽栅场效应晶体管还包括第一源/漏区和第二源/漏区，所述第一源/漏区和所述第二源/漏区分别位于所述栅电极两侧的衬底中。

9.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有多个有源区；

多条字线，掩埋在所述衬底中，所述字线沿着预定方向延伸并和相应的有源区相交，并且所述字线包括由下至上依次形成的第一字线导电层和第二字线导电层；

隔离薄膜层，形成在所述第一字线导电层和所述第二字线导电层之间，并且所述隔离薄膜层具有弯曲部，以使所述第一字线导电层的顶表面和所述第二字线导电层的底表面均顺应所述弯曲部而呈现为凹凸不平的表面；其中，所述第一字线导电层的顶表面内陷而具有凹陷，所述隔离薄膜层覆盖所述第一字线导电层的凹陷，所述隔离薄膜层的材料包括氧化硅，所述第一字线导电层的顶表面具有V形凹陷，所述隔离薄膜层覆盖所述第一字线导电层的V形凹陷而形成有V形弯曲部。