[发明专利]基于MIM环形格点阵列的表面等离激元折射率传感器在审
| 申请号： | 202010287312.0 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111504947A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 杨宏艳;陈昱澎;刘孟银 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 mim 环形 阵列 表面 离激元 折射率 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.基于MIM环形格点阵列的表面等离激元折射率传感器，其特征在于：所述折射率传感器由上下环形金属块(1，3)、介于环形金属块之间的环形介质硅层(2)以及BK-7玻璃介质基底(4)构成。由此结构沿X,Y轴成相同的周期分布构成MIM环形纳米柱阵列且每个周期单元高度相同。
2.根据权利1所述的基于MIM环形格点阵列的表面等离激元折射率传感器，其特征在于：环形金属块(1，3)材料为金。
3.根据权利1所述的基于MIM环形格点阵列的表面等离激元折射率传感器，其特征在于：环形介质柱(2)的材料为硅。
4.根据权利1所述的基于MIM环形格点阵列的表面等离激元折射率传感器，其特征在于：MIM环形柱的外环直径W为180nm，内环直径d为30nm。
5.根据权利1所述的基于MIM环形格点阵列的表面等离激元折射率传感器，其特征在于：在周期单元内，上下环形金属柱高度一致且可调。
6.根据权利1所述的基于MIM环形格点阵列的表面等离激元折射率传感器，其特征在于：基底材料(4)选用折射率为1.52的BK-7玻璃材料，其厚度为300nm，宽度为500nm。
7.根据权利1所述的基于MIM环形格点阵列的表面等离激元折射率传感器，其特征在于：该折射率传感器工作范围在可见光及近红外波段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010287312.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
