[发明专利]一种功率放大器的电路

说明书

本申请实施例提供一种功率放大器的电路，所述功率放大器的电路包括：功率放大电路和二极管组件；所述二极管组件与所述功率放大电路中的晶体管放大电路串联连接，用于当所述功率放大器的负载失配时，导通所述二极管组件，以将当前电压分压至所述晶体管放大电路的至少两极。

技术领域

本申请属于电路技术领域，尤其涉及一种功率放大器的电路。

背景技术

随着技术的进步和射频应用的广泛普及，当前射频前端模块中的功率放大器有着更高的性能要求和更低的价格趋势。因此，氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)在未来有着很大的应用前景，相比较于传统的砷化镓工艺来说， MOSFET有着更便宜的价格，与数字电路更好的集成度等优势。根据场效应晶体管的物理结构，场效应晶体管的耐高压性能没有传统砷化镓晶体的耐压性好，而功率放大器(PA)是高功率器件，当使用场效应晶体管做PA时，在大功率高电压输出时，晶体管易被击穿。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的问题，提供一种功率放大器的电路。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种功率放大器的电路，包括：功率放大电路和二极管组件；所述二极管组件与所述功率放大电路中的晶体管放大电路串联连接，用于当所述功率放大器的负载失配时，导通所述二极管组件，以将当前电压分压至所述晶体管放大电路的至少两极。

本申请实施例通过将二极管组件与功率放大电路中的晶体管放大电路串联连接，形成功率放大器，使得在功率放大器的负载失配时，所述晶体管放大电路的漏极电压产生大摆幅，导通所述二极管组件，将当前功率放大器的电压分压至晶体管放大电路的至少两级，降低了场效应晶体管极间的电压差值，避免了放大电路中的场效应晶体管被击穿的情况发生，提升了功率放大器的牢固性。

附图说明

图1为本申请实施例提供的功率放大器的电路结构示意图；

图2为本申请实施例提供的功率放大器的电路组成结构示意图；

图3为本申请实施例提供的功率放大器的电路示意图；

图4为本申请实施例提供的功率放大器的电路又一示意图。

具体实施方式

为了能够更加详尽地了解本申请的特点与技术内容，下面结合附图对本申请的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本申请。

为便于理解本申请实施例的技术方案，以下对本申请实施例的相关技术进行说明。

在相关技术中，金属-氧化物半导体场效应晶体管 (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，MOSFET)功率放大器电路结构中，图1为本申请实施例提供的功率放大器的电路结构示意图，如图1 所示，功率放大器的电路包括第一偏置电路11，第二偏置电路12，晶体管放大电路13，匹配电路14以及功率放大器的负载15。

上述电路中，偏置电路指的是能使电路正常工作的附加电路，在功率放大器电路中，偏置电路起着非常重要的作用，它决定了功率放大器的工作状态，并在很大程度上影响输出级的失真和稳定。在不同的功率放大器电路中，偏置电路可能不同，偏置电路的具体电路由技术人员根据需求进行设计。