[发明专利]一种PERC双面电池及其制作方法、封装工艺

权利要求书

1.一种PERC双面电池，包括设置在电池正面的若干条正面栅线(1)和设置在电池背面的若干条背面栅线(2)，其特征在于：若干所述背面栅线(2)呈横向间隔分布，所述背面栅线(2)由若干背银栅线(3)和若干背铝栅线(4)交替连接而成形成PERC双面电池的背面结构。

2.根据权利要求1所述的一种PERC双面电池，其特征在于：所述背银栅线(3)和背铝栅线(4)的连接处设置有印刷重叠区(6)。

3.根据权利要求1所述的一种PERC双面电池，其特征在于：所述背面栅线(2)的两端均设置为背铝栅线(4)。

4.根据权利要求1所述的一种PERC双面电池，其特征在于：所述背面栅线(2)的两端均设置为背银栅线(3)。

5.根据权利要求1所述的一种PERC双面电池，其特征在于：所述背面栅线(2)的一端设置为背银栅线(3)、且另一端设置为背铝栅线(4)。

6.根据权利要求5所述的一种PERC双面电池，其特征在于：若干条所述背面栅线(2)其中一侧从上至下均设置为背银栅线(3)。

7.根据权利要求5所述的一种PERC双面电池，其特征在于：若干条所述背面栅线(2)其中一侧从上至下呈背银栅线(3)和背铝栅线(4)间隔设置。

8.一种制作权利要求1至7任意一项所述PERC双面电池的方法，包括以下步骤：

1)采用单多晶硅片经过表面制绒获得良好的绒面结构；

2)清洗制绒时残留的液体；

3)通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子，经过一定时间，磷原子进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面；

4)经过等离子刻蚀将边缘PN结刻蚀去除，避免边缘造成短路；

5)由于扩散制结工序会使硅片表面形成一层磷硅玻璃，通过去磷硅玻璃工序减少对叠瓦电池效率的影响；

6)采用ALD或者PERC方式在电池背面层积一定厚度的三氧化二铝钝化层；

7)在背面需要沉积一层或多层结构的氮化硅减反射膜，通过PECVD化学气相沉积工序完成减反射膜制备；

8)在电池正面沉积一层或多层结构的氮化硅减反射膜，通过PECVD化学气相沉积工序完成；

其特征在于，还包括：

9)对电池背面进行激光开槽，并且在相应位置进行激光处理得到定位Marking点(7)；

10)利用一道CCD相机捕捉定位Marking点(7)，并通过一道印刷网版与定位Marking点(7)进行精度对位印刷背银栅线(3)；

11)利用二道CCD相机捕捉一道印刷后的定位Marking点(7)，并通过二道印刷网版与定位Marking点(7)进行精度对位印刷背铝栅线(4)，且保证背铝栅线(4)和背银栅线(3)相互交替连接；

12)在电池正面进行印刷正面栅线(1)，并进行烧结测试。

9.一种PERC双面电池组件封装工艺，用于权利要求1至7任意一项所述的PERC双面电池，其特征在于，包括以下步骤：

1)使用金属焊线(5)一端与电池的背银栅线(3)进行对位互联，且金属焊线(5)另一端与另一个电池的正面栅线(1)进行互联；

2)根据电池片的正负极依次进行连接组成电池串，对电池串进行排版、叠层；

3)将叠层好的电池串进行层压，并对层压件进行装框测试，完成组件封装制作。