[发明专利]散热结构和堆叠结构在审
| 申请号： | 202010288296.7 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN112310051A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郑允玮;周俊豪;李国政;陈英豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热 结构 堆叠 | ||
1.一种堆叠结构，包括：
多个芯片，垂直堆叠在衬底上；
第一钝化层，介于所述多个芯片中的第一芯片和第二芯片之间；以及
散热层，嵌入在所述第一钝化层中，其中，所述散热层配置为允许导电结构穿过。
2.根据权利要求1所述的堆叠结构，其中，所述导电结构以行和列布置。
3.根据权利要求1所述的堆叠结构，其中，所述多个芯片中的每个芯片包括多层金属化层。
4.根据权利要求1所述的堆叠结构，其中，所述散热层的厚度在约和约5μm之间。
5.根据权利要求1所述的堆叠结构，其中，所述散热层的面积和所述第一芯片的面积之间的比率等于或大于约0.5。
6.根据权利要求1所述的堆叠结构，其中，所述散热层的面积和所述第二芯片的面积之间的比率等于或大于约0.5。
7.根据权利要求1所述的堆叠结构，还包括：
第二钝化层，包括散热双层结构，所述散热双层结构包括：
第一散热带阵列，与第一方向对准；以及
第二散热带阵列，设置在所述第一散热带阵列上并且与第二方向对准，其中，所述第一方向和所述第二方向形成角度θ；
其中，所述导电结构将嵌入在所述第二钝化层中的所述散热双层结构连接至嵌入在所述第一钝化层中的所述散热层。
8.根据权利要求7所述的堆叠结构，其中，所述散热双层结构还包括介于所述第一散热带阵列和所述第二散热带阵列之间的其他导电结构。
9.一种散热结构，包括：
多个垂直堆叠的芯片，通过相应的钝化层接合在一起；
第一散热层，嵌入在第一钝化层中并且被配置为允许导电结构穿过；
第二散热层，嵌入在第二钝化层中，并且包括设置在第二散热带阵列上的第一散热带阵列；以及
第三散热层，设置在所述垂直堆叠的芯片中的一个的金属化层中。
10.一种堆叠结构，包括：
第一芯片、第二芯片和第三芯片，垂直堆叠在衬底上，其中，所述第二芯片介于所述第一芯片和第三芯片之间；
第一散热层，嵌入设置在所述第一芯片和第二芯片之间的钝化层中，其中，所述第一散热层包括散热带的堆叠层；以及
第二散热层，集成在所述第三芯片中，并且配置为允许所述第三芯片的导电结构穿过。
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