[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用片及检查方法在审
申请号: | 202010288922.2 | 申请日: | 2014-01-30 |
公开(公告)号: | CN111613564A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 佐伯尚哉;山本大辅;米山裕之;高野健 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66;C09J7/10;C09J7/20;C09J7/30;C09J133/08;C09J163/00;C09J11/04;C09J11/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护膜 形成 检查 方法 | ||
1.一种保护膜形成膜,其在波长1600nm的透光率为25%以上、在波长550nm的透光率为20%以下。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成膜,其中,
所述保护膜形成膜由未固化的固化性粘接剂形成,
作为所述固化性粘接剂的固化性成分,包含常温下为液态的环氧树脂和常温下为固体的环氧树脂。
3.根据权利要求2所述的保护膜形成膜,其中,所述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.01~3μm的填料。
4.一种保护膜形成用复合片,其具备:
在基材的一面侧叠层粘合剂层而成的粘合片、和
叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜,其中,
所述保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25%以上,
所述保护膜形成膜在波长550nm的透光率为10%以下。
5.根据权利要求4所述的保护膜形成用复合片,其中,
所述保护膜形成膜由未固化的固化性粘接剂形成,
作为所述固化性粘接剂的固化性成分,包含常温下为液态的环氧树脂和常温下为固体的环氧树脂。
6.一种检查方法,该方法包括:
通过使用权利要求1~3中任一项所述的保护膜形成膜、或权利要求4或5所述的保护膜形成用复合片在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件,
利用红外线并隔着所述保护膜对所述带保护膜的工件、或者对将所述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查。
7.根据权利要求6所述的检查方法,其中,所述检查是通过肉眼无法识别的裂纹的检查。
8.基于权利要求6或7所述的检查方法而被判断为良品的带保护膜的工件。
9.一种激光打印方法,该方法包括以下工序:
将权利要求4或5所述的保护膜形成用复合片的保护膜形成膜粘贴于表面形成有电路、且经过了背面研磨处理加工的半导体晶片的背面的工序;
使所述保护膜形成膜固化而形成保护膜的工序;以及
对所述保护膜照射激光来进行激光打印的工序。
10.一种带保护膜的半导体芯片的制造方法,该方法包括以下工序:
将权利要求4或5所述的保护膜形成用复合片的保护膜形成膜粘贴于表面形成有电路、且经过了背面研磨处理加工的半导体晶片的背面的工序;
使所述保护膜形成膜固化而形成保护膜,从而得到带保护膜的半导体晶片的工序;
对所述保护膜照射激光来进行激光打印的工序;
将所述带保护膜的半导体晶片进行切割而得到带保护膜的半导体芯片的工序;以及
拾取所述带保护膜的半导体芯片的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造