[发明专利]一种利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺

权利要求书

1.一种利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，其特征在于具体包括以下步骤：

⑴选取单晶硅片，对硅片进行碱制绒，在硅片的正面和背面上形成减反射绒面；

⑵将由步骤⑴所得硅片置于炉管中进行热扩散，在硅片的正面和背面形成氧化层；

⑶保护由步骤⑵所得硅片正面的氧化层，并去除背面PN结和氧化层；

⑷对由步骤⑶所得硅片背面的减反射绒面进行抛光，再去除硅片正面上的氧化层，完成太阳能电池单面抛光。

2.根据权利要求1所述的利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，其特征在于：所述步骤⑷使用槽式抛光设备，先对由步骤⑶所得硅片表面进行清洗预处理，再进行抛光处理，然后漂洗去除硅片表面残留碱液，最后进行酸洗去除硅片表面残留碱液和氧化层。

3.根据权利要求2所述的利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，其特征在于：清洗预处理采用1％-3％体积浓度的KOH或者NaOH溶液、4％-8％体积浓度的双氧水溶液，加热至60℃-70℃，工艺时间为20s-120s。

4.根据权利要求3所述的利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，其特征在于：所述步骤⑷的抛光采用5％-10％体积浓度的KOH或者NaOH溶液、1％-5％的抛光添加剂，温度为60℃-80℃，工艺时间为100s-600s，然后用纯水漂洗1min-5min。

5.根据权利要求4所述的利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，其特征在于：所述步骤⑷的酸洗采用5％-15％体积浓度的HF溶液和5％-15％体积浓度的HCl溶液的混合液。

6.根据权利要求5所述的利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，其特征在于：在所述步骤⑶中，正面使用水膜保护氧化层，背面酸洗，去除背面PN结和氧化层。

7.根据权利要求6所述的利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，其特征在于：所述单晶硅片是P型单晶硅片，在热扩散过程中，形成的氧化层是PSG层。

8.根据权利要求6所述的利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，其特征在于：所述单晶硅片是N型单晶硅片，在热扩散过程中，形成的氧化层是BSG层。

9.根据权利要求7或8所述的利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，其特征在于：在所述步骤⑶中，酸洗采用10％-20％体积浓度的HF溶液。

10.根据权利要求9所述的利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，其特征在于：在所述步骤⑴中，所选取的硅片是电阻率为0.1Ω·cm～6Ω·cm轻掺杂硅片，制绒减重范围是0.4g-0.8g，反射率是8％-18％。