[发明专利]一种深紫外激光输出技术的复合晶体装置有效
申请号: | 202010289205.1 | 申请日: | 2020-04-14 |
公开(公告)号: | CN111458951B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 苏犁;薛岩;张红雨;李池 | 申请(专利权)人: | 中国地质大学(北京) |
主分类号: | G02F1/355 | 分类号: | G02F1/355;G02F1/35;G02F1/37 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 刘美丽 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 深紫 激光 输出 技术 复合 晶体 装置 | ||
本发明涉及一种深紫外激光输出技术的复合晶体装置,该复合晶体装置包括:第一晶体,用于实现激光上转换,将输入的520‑538nm泵浦光进行上转换,输出700‑735nm激光;第二晶体,用于实现激光的合频,将700‑735nm激光与由520‑538nm的激光倍频产生的259.4‑288.2nm进行激光合频,输出190‑205nm深紫外激光;其中,所述第一晶体与第二晶体同轴心连接,构成统一构件。本发明能够使输入的520‑538nm泵浦激光通过非线性效应转换成190‑205nm深紫外激光输出,激光形态完整、能量稳定,构件成本较低。
技术领域
本发明涉及激光复合晶体技术领域,特别是关于一种深紫外激光输出技术的复合晶体装置。
背景技术
激光频率变换是用来实现激光设备以特定的、不同频率激光稳定输出的非线性光学技术,目前已有成熟技术实现了激光频率变换,例如由晶体激发产生的1064nm激光2倍频后形成512nm激光、3倍频形成266nm激光等,通过2倍频、3倍频及与其它激光变频技术叠加的4倍频、5倍频等变频技术,生产出绿光、紫外、深紫外光区的激光设备。通过激光频率变换技术,可制造出具有特定功能、特定波长的激光器和工业、科研设备。伴随电子工业高速发展、科学研究样品微区取样分析等迫切需求,可用于固体样品微区精准取样、硅晶板无微细损伤的微米级刻蚀用激光器的研发受到高度关注,193nm等深紫外光区激光,因热效能低、刻蚀能力强且稳定、在室温环境下传输能量损耗甚微等优良性能,使其成为应用前景最好的激光类型。
目前193nm激光器也广泛使用ArF准分子气体激发直接产生193nm激光技术,其制造价格高、使用运行成本高、放置环境要求苛刻、瞬时输出能量过强且波动大,存在一些难以克服的问题。与之相比,多倍频固体193nm激光器,整机价格和使用成本均低,整机体积相对小、方便使用,瞬时激光能量输出适宜且稳定,经过不断技术改进后的倍频固体193nm激光器有望成为各行业急需的低损伤微区(微米级)刻蚀和科学取样专用设备。因而,如何将简单变频可形成的可见光区激光(266nm,532nm等)变频转化为稳定输出193nm深紫外激光的技术成为关键。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的是提供能够一种能使输入的520-538nm的泵浦激光通过非线性效应转换成190-205nm的深紫外激光输出的深紫外激光输出技术的复合晶体装置。
为实现上述目的,本发明采取以下技术方案:一种深紫外激光输出技术的复合晶体装置,该复合晶体装置包括:
第一晶体,用于将输入的520-538nm泵浦光进行上转换,输出700-735nm激光;
第二晶体,用于将输入的700-735nm激光与输入的259.4-288.2nm激光进行合频,输出190-205nm的深紫外激光;其中,所述第一晶体与第二晶体同轴心连接。
进一步地,所述第一晶体采用KTiOPO4晶体。
进一步地,所述第二晶体采用b-BaBO4晶体。
进一步地,所述第一晶体的激光进入侧面镀520-538nm的增透膜和700-735nm的高反膜;所述第一晶体的激光输出侧面镀520-538nm的增透膜和700-735nm的透射率为70%的半反半透膜。
进一步地,所述第二晶体的激光输入侧面镀520-538nm的增透膜和700-735nm的增透膜,所述第二晶体的激光输出侧面镀520-538nm与190-205nm的增透膜、700-735nm的高反膜。
进一步地,所述第一晶体与第二晶体采用横截面相同的矩形结构。
进一步地,该装置还包括光学调整架,所述光学调整架包括调整架本体、调节板和定位孔板;所述调整架本体中心设置所述调节板,所述调节板中心设置有用于放置所述定位孔的圆形安装孔,所述定位孔板用于放置由所述第一晶体和第二晶体构成的复合晶体。
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