[发明专利]存储器装置及其操作方法在审
申请号: | 202010289305.4 | 申请日: | 2020-04-14 |
公开(公告)号: | CN112289361A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 姜泰圭;梁喆宇 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
存储器装置及其操作方法。一种包括多个平面的存储器装置包括:模式设定组件,其将所述存储器装置的操作模式设定为验证通过模式以允许在多个平面中执行的验证操作强制通过;以及验证信号发生器,其用于输出验证通过信号,该验证通过信号用信号通知针对所述多个平面中的每一个,验证操作已通过。
技术领域
本公开总体上涉及电子装置,更具体地,涉及一种存储器装置及其操作方法。
背景技术
存储装置是由诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置控制的用于存储数据的装置。存储装置包括被配置为将数据存储在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁盘上的装置以及被配置为将数据存储在诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的半导体存储器(即,非易失性存储器)上的装置。
存储装置可包括被配置为存储数据的存储器装置以及被配置为控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。
发明内容
根据本公开的一方面,提供了一种包括多个平面的存储器装置,该存储器装置包括:模式设定组件,其被配置为将存储器装置的操作模式设定为验证通过模式以允许在所述多个平面中执行的验证操作强制通过;以及验证信号发生器,其被配置为输出验证通过信号,该验证通过信号用信号通知针对所述多个平面中的每一个,验证操作已通过。
根据本公开的另一方面,提供了一种操作包括多个平面的存储器装置的方法,该方法包括以下步骤:将存储器装置的操作模式设定为允许在所述多个平面中执行的验证操作强制通过;以及输出验证通过信号,该验证通过信号用信号通知针对所述多个平面中的每一个,验证操作已通过。
附图说明
现在将在下文参照附图更充分地描述示例实施方式;然而,其可按照不同的形式来具体实现,不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式以使得本公开将彻底和完整,并且将向本领域技术人员充分传达示例实施方式的范围。
在附图中,为了例示清晰,尺寸可能被夸大。将理解,当元件被称为在两个元件“之间”时,其可以是这两个元件之间的仅有元件,或者也可存在一个或更多个中间元件。相似的标号始终表示相似的元件。
图1是示出存储装置的框图。
图2是示出图1所示的存储器装置的结构的图。
图3是示出图2所示的存储器单元阵列的实施方式的图。
图4是示出图3所示的存储块当中的任一个存储块的电路图。
图5是示出图3所示的存储块当中的一个存储块的另一实施方式的电路图。
图6是示出多平面结构的图。
图7是示出擦除循环的图。
图8是示出编程循环的图。
图9是示出在多平面中执行的擦除循环和编程循环的图。
图10是示出在多平面中执行的擦除循环的图。
图11A和图11B是示出在验证通过模式或验证失败模式下擦除验证通过信号或擦除验证失败信号的输出以及各个平面的操作的图。
图12是示出在多平面中执行的编程循环的图。
图13A和图13B是示出在验证通过模式或验证失败模式下编程验证通过信号或编程验证失败信号的输出以及各个平面的操作的图。
图14是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的操作的图。
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