[发明专利]顶发光型显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种顶发光型显示装置，其特征在于，包括：

衬底基板；

薄膜晶体管阵列层，设置于所述衬底基板的一侧表面；

OLED器件，设置于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧；及

第三电极，设置于所述OLED器件的其中一侧表面，所述第三电极与所述薄膜晶体管阵列层电性连接；所述第三电极材料为电致变色材料，所述第三电极至少包括两种不同透射率的状态，透射率分别为T1和T2，其中T1＞T2。

2.根据权利要求1所述的顶发光型显示装置，其特征在于，当所述第三电极设置于所述OLED器件远离所述薄膜晶体管阵列层的一侧表面，所述第三电极在正常显示时透射率为T1，在修复定位时透射率为T2。

3.根据权利要求1所述的顶发光型显示装置，其特征在于，当所述第三电极设置于所述OLED器件靠近所述薄膜晶体管阵列层的一侧表面，所述第三电极在正常显示时透射率为T2，在修复定位时透射率为T1。

4.根据权利要求1所述的顶发光型显示装置，其特征在于，所述第三电极的材料为二维材料二硒化钼、二维材料三氧化钨、二维材料氧化镍或二维材料二氧化钛中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的顶发光型显示装置，其特征在于，所述第三电极在所述衬底基板上的正投影面积不小于所述OLED器件在所述衬底基板上的正投影面积。

6.根据权利要求1所述的顶发光型显示装置，其特征在于，还包括封装基板和连接线路，所述封装基板设置于所述OLED器件或所述第三电极的远离所述薄膜晶体管阵列层的一侧表面，所述连接线路分别连接所述薄膜晶体管阵列层与所述第三电极，通过电压控制所述第三电极的透射率状态，实现正常显示和修复定位。

7.根据权利要求1所述的顶发光型显示装置，其特征在于，所述OLED器件包括层叠设置的第一阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、第一阴极及设置于两侧的像素定义层。

8.一种顶发光型显示装置的制备方法，其特征在于，制备如权利要求1至7任一所述的顶发光型显示装置，所述制备方法包括：

提供一衬底基板，在所述衬底基板的一侧表面制备薄膜晶体管阵列层和连接线路，所述连接线路的第一端与所述薄膜晶体管阵列层连接；

在所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧制备所述OLED器件和第三电极，所述第三电极与所述连接线路的第二端连接；所述第三电极材料为电致变色材料，所述第三电极至少包括两种不同透射率的状态，透射率分别为T1和T2，其中T1＞T2；

其中，制备所述第三电极的方法为溅射、蒸镀或化学气相沉积。