[发明专利]射频开关

权利要求书

1.一种射频(RF)开关，所述射频开关包括：

第一III-V晶体管，所述第一III-V晶体管耦接在所述RF开关的输入与旁路连接节点之间，所述第一III-V晶体管能够由施加至所述第一III-V晶体管的栅极的第一控制信号控制；

第二III-V晶体管，所述第二III-V晶体管耦接在所述旁路连接节点与所述RF开关的输出之间，所述第二III-V晶体管能够由施加至所述第二III-V晶体管的栅极的所述第一控制信号控制；和

至少一个绝缘体上硅(SOI)晶体管，所述至少一个SOI晶体管耦接在所述旁路连接节点与接地之间，所述至少一个SOI晶体管能够由施加至所述至少一个SOI晶体管的栅极的第二控制信号控制。

2.根据权利要求1所述的RF开关，其中所述第一III-V晶体管和所述第二III-V晶体管为砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)。

3.根据权利要求1所述的RF开关，其中所述第一控制信号和所述第二控制信号为将所述RF开关控制为处于导通状态或关断状态的互补的导通/关断信号；

其中在所述导通状态下，所述第一III-V晶体管和所述第二III-V晶体管为导通以在所述RF开关的所述输入和所述输出之间产生低阻抗路径，并且所述至少一个SOI晶体管为关断以将接地与所述低阻抗路径隔离；并且

其中在所述关断状态下，所述第一III-V晶体管和所述第二III-V晶体管为关断以在所述输入和所述输出之间产生高阻抗路径，并且所述至少一个SOI晶体管为导通以将所述高阻抗路径短路至接地。

4.根据权利要求1所述的RF开关，其中所述第一III-V晶体管和所述第二III-V晶体管的击穿电压高于所述至少一个SOI晶体管的击穿电压；并且

其中所述至少一个SOI晶体管耦接至的电压低于耦接至所述第一III-V晶体管或所述第二III-V晶体管的电压。

5.根据权利要求1所述的RF开关，其中所述至少一个SOI晶体管为串联连接的一组SOI晶体管；并且

其中所述一组SOI晶体管中的SOI晶体管的数量对应于所述第一III-V晶体管或所述第二III-V晶体管的击穿电压。

6.一种RF调谐系统，所述RF调谐系统包括：

RF开关，所述RF开关被配置为将输入切换至多个输出中的一个，并且对于每个输出，所述RF开关包括：

III-V开关对，所述III-V开关对串联连接在所述输入与所述输出之间，所述III-V开关对在旁路连接节点处彼此连接；和

SOI开关，所述SOI开关连接在所述旁路连接节点和接地之间。

7.根据权利要求6所述的RF调谐系统，其中所述III-V开关对包括：

第一GaN晶体管，所述第一GaN晶体管耦接在所述输入与所述旁路连接节点之间；和

第二GaN晶体管，所述第二GaN晶体管耦接在所述旁路连接节点与所述输出之间。

8.根据权利要求6所述的RF调谐系统，其中所述SOI开关为一组SOI晶体管，其中所述一组SOI晶体管中的SOI晶体管的计数对应于所述III-V开关对中的一个开关的击穿电压。

9.根据权利要求6所述的RF调谐系统，其中所述RF开关被配置为当对应于特定输出的所述III-V开关对处于导通条件并且对应于所述特定输出的所述SOI开关处于关断条件时，将所述输入切换至该特定输出；并且

其中所述RF开关被配置为当对应于特定输出的所述III-V开关对处于关断条件并且对应于所述特定输出的所述SOI开关处于导通条件时，将所述输入与该特定输出隔离。