[发明专利]OLED器件的封装方法及OLED照明设备

说明书

本申请提供一种OLED器件的封装方法及OLED照明设备，涉及OLED照明领域。本申请通过在真空反应腔室内提供一透明基板，在该透明基板上沉积形成OLED器件，并在处于该真空反应腔室内的OLED器件表面蒸镀形成绝缘层，而后在该真空反应腔室内于绝缘层表面上蒸镀沉积形成活性缓冲层，并通过向该真空反应腔室注入第一反应气体，使该第一反应气体得以与该活性缓冲层表面发生反应，以在该活性缓冲层的表层位置形成致密的钝化层，从而通过蒸镀与物质化学反应的配合实现对OLED器件的封装操作。这种封装方案工艺兼容性好，能够简化器件封装流程，降低封装成本，避免工艺流程中“破真空”问题，显著提高器件封装效果及封装产品良率。

技术领域

本申请涉及OLED(有机发光二极管，Organic Light-Emitting Diode)照明领域，具体而言，涉及一种OLED器件的封装方法及OLED照明设备。

背景技术

随着OLED技术的不断发展，OLED器件在各大行业的应用愈发广泛，为延长OLED器件的使用寿命，通常需要对OLED器件进行封装，而OLED器件的封装效果的好坏也往往影响该OLED器件的使用寿命，封装效果越好，则OLED器件的使用寿命往往也就越长久。就目前而言，业界主流通常采用在OLED器件上制备形成无机聚合物膜层与有机聚合物膜层交替的薄膜封装结构实现具体的封装效果。其中，通常需要通过涂覆或打印的方式制备有机聚合物膜层，通常需要通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)沉积的方式制备无机聚合物膜层。而这种封装方案在制备有机聚合物膜层及无机聚合物膜层时各自采用的制备工艺兼容性差，膜层制备流程复杂且制备成本高，需要将待封装器件在不同制备设备之间进行转移，会频繁的出现“破真空”现象，导致最终的封装效果极差，封装产品良率极低。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种OLED器件的封装方法及OLED照明设备，其能够在同一制备设备内直接完成对OLED器件的封装操作，简化器件封装流程，降低封装成本，从而提高OLED器件的封装工艺兼容性，避免工艺流程中的“破真空”问题，显著提高器件封装效果及封装产品良率。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供一种OLED器件的封装方法，所述封装方法包括：

在真空反应腔室内提供一透明基板，并在所述透明基板上沉积形成OLED器件；

在所述真空反应腔室内，于所述OLED器件表面蒸镀沉积形成绝缘层；

在所述真空反应腔室内，在所述绝缘层表面上蒸镀沉积形成活性缓冲层；

向所述真空反应腔室注入第一反应气体，使所述第一反应气体与所述活性缓冲层表面发生反应，以在所述活性缓冲层的表层位置形成致密的钝化层。

在可选的实施方式中，所述封装方法还包括：

对所述真空反应腔室进行抽真空处理；

在抽真空后的所述真空反应腔室内，在离所述绝缘层最远的已制备钝化层的表面上蒸镀沉积形成一个活性缓冲层；

向所述真空反应腔室注入第一反应气体，以通过所述第一反应气体在离所述绝缘层最远的已制备活性缓冲层的表层位置反应形成致密的钝化层；

返回上述对所述真空反应腔室进行抽真空处理的步骤继续执行，直至已制备的钝化层总数量达到预设数量为止。

在可选的实施方式中，所述活性缓冲层的材料为金属铝或金属镁；

所述第一反应气体为氧气或臭氧，所述钝化层的材料为氧化铝或氧化镁。

在可选的实施方式中，当所述第一反应气体为氧气时，在活性缓冲层表层位置形成致密的钝化层的步骤包括：