[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

权利要求书

1.一种处理基片的基片处理方法，其特征在于，包括：

(a)通过旋涂法在基片的表面涂敷涂敷液来形成涂敷膜的步骤；

(b)对在所述(a)步骤中形成于基片的表面周缘部的所述涂敷膜的凸部，供给所述涂敷液的溶剂的步骤；和

(c)在停止供给所述溶剂的状态下，使基片旋转，使所述凸部的顶点向基片的径向外侧移动的步骤，

反复进行所述(b)步骤和所述(c)步骤。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述(b)步骤中，从基片的正面侧对所述凸部供给所述溶剂，并且从基片的背面侧对所述凸部供给所述溶剂。

3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述(b)步骤中，同时从基片的正面侧和基片的背面侧供给所述溶剂。

4.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

在反复进行所述(b)步骤和所述(c)步骤时，使所述(b)步骤中的所述溶剂的供给位置在基片的径向移动。

5.如权利要求4所述的基片处理方法，其特征在于：

使所述(b)步骤中的所述溶剂的供给位置从基片的径向内侧移动到外侧。

6.如权利要求4所述的基片处理方法，其特征在于：

使所述(b)步骤中的所述溶剂的供给位置从基片的径向外侧移动到内侧。

7.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

根据所述(b)步骤中的所述溶剂的供给时间和供给位置，控制所述(b)步骤和所述(c)步骤的反复次数，来控制所述涂敷膜的膜厚。

8.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

一边使基片旋转一边进行所述(b)步骤中的所述溶剂的供给，

所述(c)步骤中的基片的转速比所述(b)步骤中的基片的转速大，

所述(c)步骤中的基片的转速为2000rpm以下。

9.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

所述涂敷液的粘度为1000cp～10000cp。

10.一种对基片涂敷涂敷液的基片处理装置，其特征在于，包括：

构成为能够保持基片并使其旋转的基片保持部；

涂敷液供给部，其构成为能够对保持于所述基片保持部的基片涂敷涂敷液；

溶剂供给部，其构成为能够对保持于所述基片保持部的基片的周缘部从基片的正面侧供给所述涂敷液的溶剂；和

控制部，

所述控制部包括：

(a)通过旋涂法在基片的表面涂敷涂敷液来形成涂敷膜的步骤；

(b)对在所述(a)步骤中形成于基片的表面周缘部的所述涂敷膜的凸部，供给所述涂敷液的溶剂的步骤；和

(c)在停止供给所述溶剂的状态下，使基片旋转，使所述凸部的顶点向基片的径向外侧移动的步骤，

并且所述控制部控制所述基片保持部、所述涂敷液供给部和所述溶剂供给部，以使得反复执行所述(b)步骤和所述(c)步骤。

11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括另一溶剂供给部件，其构成为能够对保持于所述基片保持部的基片的周缘部从基片的背面侧供给所述溶剂，

所述控制部构成为能够控制所述溶剂供给部和所述另一溶剂供给部，以使得在所述(b)步骤中，从基片的正面侧对所述凸部供给所述溶剂，并且从基片的背面侧对所述凸部供给所述溶剂。

12.如权利要求10或11所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括构成为能够使所述溶剂供给部在水平方向移动的移动机构，

所述控制部构成为能够控制所述溶剂供给部和所述移动机构，以使得在反复进行所述(b)步骤和所述(c)步骤时，使所述(b)步骤中的所述溶剂的供给位置在基片的径向移动。